基于憶阻器的圖像存儲與壓縮研究.pdf

1、半導體技術(shù)的發(fā)展已遵循摩爾定律長達半個世紀。然而這種增長趨勢在2014年已經(jīng)遇到了瓶頸，人類需要一種比晶體管更好的物質(zhì)來存儲信息。另一方面，圖像處理的發(fā)展非常迅猛，它已經(jīng)深入到人類活動的方方面面。憶阻器作為一種新型的納米存儲器件，具有比傳統(tǒng)存儲器更小的尺寸和更加優(yōu)良的特性，本文將憶阻器和圖像處理相結(jié)合，研究了用憶阻器進行圖像的存儲與壓縮的具體方法。
　　本文首先介紹了憶阻器的基本原理及特性：包括憶阻器的導電機理，憶阻器的基本模型。

2、在MATLAB中對憶阻器模型進行仿真，得到憶阻器的特性曲線及主要特性。然后根據(jù)憶阻器的基本模型，提出了兩種基于憶阻器陣列的存儲結(jié)構(gòu)，一種能存儲二值信息，一種能存儲多值信息。在MATLAB中對憶阻器陣列進行仿真，實現(xiàn)了憶阻器陣列的讀寫操作。在此基礎上，研究了基于憶阻器陣列的圖像存儲方法，通過查表和非線性擬合兩種方法，得到灰度值和流經(jīng)憶阻器電流值之間的對應關(guān)系，利用這種對應關(guān)系使憶阻器存儲圖像。在MATLAB中對兩種方法進行仿真，驗證了憶阻