基于憶阻器的圖像存儲(chǔ)與優(yōu)化研究.pdf

1、1971年,蔡少棠教授基于電路元件與變量之間對(duì)應(yīng)關(guān)系的不完備性,大膽斷言了第四種基本無(wú)源電路元件—憶阻器的存在,并給出了憶阻器的數(shù)學(xué)模型。直到2008年,惠普實(shí)驗(yàn)室終于研制出了首個(gè)可以使用的憶阻器,并建立了相應(yīng)的微分方程模型。
　　憶阻器是一種具有記憶功能的非線性電阻。它的電阻變化取決于流經(jīng)它的電荷量。作為第四種基本無(wú)源器件,憶阻器在很多領(lǐng)域都具備巨大潛力。文中對(duì)憶阻器的基本特性進(jìn)行了研究,對(duì)憶阻器的物理結(jié)構(gòu)、電阻隨電荷改變的機(jī)理

2、都做了較詳細(xì)的分析。按照惠普實(shí)驗(yàn)室給出的微分方程模型搭建了有邊界效應(yīng)憶阻器的仿真電路模型。按照微分方程推導(dǎo)了其輸入輸出特性,并進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證各項(xiàng)電氣特性以證明仿真模型的有效性。
　　提出了將憶阻器用于圖像存儲(chǔ)的一種方案—用憶阻器交叉陣列來(lái)存儲(chǔ)圖像的各像素點(diǎn)。經(jīng)大量仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,這種方案可以不丟失精度的存儲(chǔ)與還原黑白、16色、256色圖像信息。在此基礎(chǔ)之上,進(jìn)一步對(duì)該圖像存儲(chǔ)方案提出了減少憶阻器數(shù)量的存儲(chǔ)優(yōu)化方法,并通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn)