納米尺度下LER對(duì)線寬測(cè)量結(jié)果影響的研究.pdf

1、集成電路的刻線線寬測(cè)量是目前微納計(jì)量領(lǐng)域的熱點(diǎn)。主要研究的是對(duì)納米尺度的刻線尺寸以及它的表面因素參數(shù)進(jìn)行表征的技術(shù)，表征尺寸一般在幾十到數(shù)百納米。目前迅猛發(fā)展的半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)集成電路的集成度越來(lái)越高的要求推動(dòng)著這項(xiàng)技術(shù)的不斷發(fā)展。但是，光刻技術(shù)的不斷進(jìn)步帶來(lái)的集成電路的刻線尺寸減小到納米級(jí)別的同時(shí)，線邊緣粗糙度（Line Edge Roughness，LER）卻并不隨著刻線尺寸而減小，這主要是由于制造工藝本身導(dǎo)致的。LER在線寬加工誤差中

2、所占比重不斷增加，因此研究LER對(duì)線寬測(cè)量的影響極為重要。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscopy，AFM）由于其高分辨率和對(duì)測(cè)量樣本材料的高度適應(yīng)性而成為現(xiàn)在線寬測(cè)量領(lǐng)域的一個(gè)重要工具。本文針對(duì)目前LER對(duì)線寬測(cè)量的影響越來(lái)越大的情況，通過(guò)對(duì)于納米線寬邊緣粗糙度的測(cè)量和表征來(lái)研究線寬邊緣粗糙度對(duì)線寬測(cè)量結(jié)果的影響。
　　本文簡(jiǎn)要介紹了AFM的工作原理、儀器結(jié)構(gòu)和工作模式，分析了它在線寬測(cè)量中的應(yīng)用以及對(duì)測(cè)量圖

3、像影響較大的一些因素并提出了相應(yīng)的校正方法。探討了目前納米線寬測(cè)量領(lǐng)域中針對(duì)這些問(wèn)題所出現(xiàn)的研究趨勢(shì)，為納米線寬測(cè)量的更深入的研究工作打好基礎(chǔ)。
　　本文采用了一個(gè)改進(jìn)的線邊緣形貌測(cè)量方法，通過(guò)對(duì)納米線寬的底部、中部和頂部三條線寬以及對(duì)應(yīng)的六個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)的測(cè)量。對(duì)線邊緣粗糙度進(jìn)行了準(zhǔn)確表征。并利用Matlab對(duì)AFM掃描圖像中提取出的6條關(guān)鍵點(diǎn)組成的線邊緣進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)和核算，詳細(xì)分析了線邊緣粗糙度對(duì)于線寬測(cè)量的影響，研究了不同測(cè)量方法的