超薄二硫化鉬納米片陣列的光學(xué)及能量轉(zhuǎn)換特性研究.pdf

1、分類(lèi)號(hào)：密級(jí)：UDC：編號(hào)：工學(xué)博士學(xué)位論文超薄二硫化鉬納米片陣列的光學(xué)及能量轉(zhuǎn)換特性研究博士研究生博士研究生：俞海龍指導(dǎo)教師指導(dǎo)教師：呂月蘭教授學(xué)位級(jí)別學(xué)位級(jí)別：工學(xué)博士學(xué)科、專(zhuān)業(yè)學(xué)科、專(zhuān)業(yè)：光學(xué)工程所在單位所在單位：理學(xué)院論文提交日期論文提交日期：2015年4月論文答辯日期論文答辯日期：2015年6月學(xué)位授予單位學(xué)位授予單位：哈爾濱工程大學(xué)哈爾濱工程大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：本論文的所有工作，是在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，由作者本人獨(dú)

2、立完成的。有關(guān)觀(guān)點(diǎn)、方法、數(shù)據(jù)和文獻(xiàn)的引用已在文中指出，并與參考文獻(xiàn)相對(duì)應(yīng)。除文中已注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)公開(kāi)發(fā)表的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者(簽字)：日期：年月日哈爾濱工程大學(xué)學(xué)位論文授權(quán)使用聲明本人完全了解學(xué)校保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的有關(guān)規(guī)定，即研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)屬于哈爾濱工程大學(xué)。哈爾濱工程大學(xué)有

3、權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件。本人允許哈爾濱工程大學(xué)將論文的部分或全部?jī)?nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文，可以公布論文的全部?jī)?nèi)容。同時(shí)本人保證畢業(yè)后結(jié)合學(xué)位論文研究課題再撰寫(xiě)的論文一律注明作者第一署名單位為哈爾濱工程大學(xué)。涉密學(xué)位論文待解密后適用本聲明。本論文(□在授予學(xué)位后即可□在授予學(xué)位12個(gè)月后□解密后)由哈爾濱工程大學(xué)送交有關(guān)部門(mén)進(jìn)行保存、匯編等。作者(簽字)：導(dǎo)師(