版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、硅探測器是是一種最通用的半導體探測器,以硅為探測介質,主要用作輻射探測器。硅探測器具有靈敏度高、響應速度快、抗輻照性能強、易于集成等特點,在高能粒子探測與X光檢測等領域有重要應用價值。
三維溝槽電極硅探測器是美國布魯克海文國家實驗室在2009年提出的。這種探測器的兩種電極(溝槽電極和中央柱狀電極)都是通過蝕刻、離子注入的方法在硅體中形成的,它的一個電極以溝槽的形式圍繞在另一個電極外面,如果用這種結構制作一個探測器陣列,探測器的
2、電場分布更均勻,并且每一個單元不會受其他單元的影響。三維溝槽電極硅探測器自從被提出以后,還沒有系統(tǒng)地對其I-V、C-V等電學特性進行仿真研究。
本文以方形的三維溝槽電極硅探測器為研究對象,通過器件仿真,對其電場分布、漏電流、擊穿電壓、電容、全耗盡電壓等進行了系統(tǒng)全面的研究,并將仿真結果與傳統(tǒng)三維柱狀電極硅探測器進行對比,探討三維溝槽電極硅探測器的優(yōu)勢與不足之處,同時嘗試改變其結構,以獲得更好的器件性能。
具體的研究內
3、容與結果如下:
1.給三維溝槽電極硅探測器單元施加直流信號,通過改變摻雜濃度來模擬不同的輻照強度,獲得該輻照強度下的電流-電壓特性曲線,然后分析在不同電壓條件下漏電流的大小,獲得三維溝槽電極硅探測器的擊穿電壓。通過改變表面電荷密度,來獲得不同表面電荷密度下的表面擊穿電壓。
2.給三維溝槽電極硅探測器單元施加低頻交流信號,獲得其在不同輻照強度下的電容-電壓曲線,通過對曲線的處理,可以獲得三維溝槽電極硅探測器在不同輻照強
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 三維溝槽電極硅探測器器件性能仿真.pdf
- 新型三維溝槽電極硅探測器電荷收集性能的研究.pdf
- 新型低電容硅像素探測器的三維仿真與建模.pdf
- 三維感應測井探測器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設計.pdf
- 高性能低維半導體材料-硅異質結光電探測器.pdf
- 基于黑硅-多孔硅PIN光電探測器的仿真研究.pdf
- 硅基GaN薄膜材料及紫外探測器原型器件研究.pdf
- 氧化釩紅外探測器的仿真模擬與器件制作.pdf
- 三維感應測井探測器數(shù)據(jù)處理技術研究.pdf
- 黑硅光電探測器的制備及性能研究.pdf
- CdZnTe半導體探測器電極研究.pdf
- 一維半導體納米材料制備、性能及輻射探測器件研究.pdf
- 基于溝槽型微結構中子探測器的研究.pdf
- 基于三維噪聲的非制冷紅外探測器測試系統(tǒng)的研究.pdf
- 無結FinFET器件三維仿真研究.pdf
- 高性能硅量子點石墨烯硅基光電探測器的研究.pdf
- 硅鋁結構熱堆紅外探測器.pdf
- 飛秒激光輻照硅及硅光電探測器研究.pdf
- CZT探測器電極制備工藝的研究.pdf
- 高性能硅基發(fā)光材料及硅MSM結構光電探測器的研制.pdf
評論
0/150
提交評論