高性能低維半導(dǎo)體材料-硅異質(zhì)結(jié)光電探測器.pdf

1、二維材料石墨烯、低維化合物材料硒化銦等光電性能良好的半導(dǎo)體材料，可以與硅襯底結(jié)合制備高響應(yīng)度高探測率等高性能的光電探測器。由于石墨烯與硅接觸時易被調(diào)控，本論文主要研究了將氟化石墨烯、摻硼硅量子點等材料與石墨烯/硅光電探測器結(jié)合，對石墨烯進(jìn)行調(diào)控，提升器件的響應(yīng)特性。該系列工作具有以下主要成果：
　　1.制備了石墨烯與氟化石墨烯之間多種垂直堆疊結(jié)構(gòu)的器件，研究了氟化石墨烯在石墨烯上下表面兩種情況對石墨烯/硅光電探測器的性能提升作用。

2、
　　2.制備了含摻硼硅量子點的石墨烯硅基光電探測器，充分利用摻硼硅量子對近紅外光有吸收的特性，在未摻雜硅量子點與石墨烯硅基光電探測器結(jié)合的基礎(chǔ)上，擴(kuò)展了器件在近紅外波段的響應(yīng)（1100 nm-1870 nm），并首次研究了量子點置于石墨烯與硅之間的垂直異質(zhì)結(jié)器件，這種新型結(jié)構(gòu)既是無機(jī)量子點發(fā)光二極管的雛形，又有助于研究石墨烯與硅接觸的界面態(tài)變化問題。
　　3.合成了穩(wěn)定存在的花狀單相γ-In2Se3化合物材料，并首次將γ-