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1、由于傳統(tǒng)能源的有限,及其造成環(huán)境問(wèn)題日益突出,因此環(huán)境友好、可再生的新能源受到各國(guó)的廣泛關(guān)注。近年來(lái),有機(jī)–無(wú)機(jī)混合鹵化物型的鈣鈦礦的發(fā)展,帶領(lǐng)走進(jìn)光伏技術(shù)的新紀(jì)元,它與眾不同的屬性主要包括載流子遷移率高、光譜吸收范圍合適、擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)以及制備的簡(jiǎn)易性等,從而造就其在光伏、發(fā)光二極管、激光等領(lǐng)域成為最具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的光電子材料。當(dāng)前,基于TiO2組裝的鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池(perovskite solar cells,PSCs)已經(jīng)獲得普遍研
2、究,近乎成熟,而其他金屬氧化物如SnO2的研究還不完全,SnO2因本身優(yōu)異的性質(zhì)有望成為新一代的電子傳輸層。SnO2有與TiO2接近的禁帶寬度,而且SnO2的電子遷移率比TiO2的高,非常有潛力應(yīng)用在PSCs領(lǐng)域。本文嘗試制備了四種SnO2的形貌:二維的納米片,一維的納米棒和納米針以及零維的納米球,并分別組裝成PSCs,對(duì)它們的光電性質(zhì)進(jìn)行系統(tǒng)的研究。
主要研究?jī)?nèi)容及結(jié)果如下:
(1)錫源為二水合氯化亞錫,SnO2納
3、米片選用水熱制備,并對(duì)其形貌、晶型進(jìn)行表征。主要采用旋涂法,將超薄的SnO2納米片作為骨架支撐層和光吸收材料,引入到PSCs中。通過(guò)優(yōu)化CH3NH3PbI3的結(jié)晶時(shí)間,可以獲取PSCs的最佳性能,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在CH3NH3PbI3在結(jié)晶10min時(shí),CH3NH3PbI3薄膜顆粒尺寸適中,獲得7.81%的光電轉(zhuǎn)換效率(power conversion efficiency,PCE)。采用TiCl4修飾SnO2納米片表面,研究發(fā)現(xiàn),TiC
4、l4表面處理SnO2納米片之后,PCE從6.86%提升到7.81%。將SnO2納米片基PSCs優(yōu)化處理之后,進(jìn)行器件的重復(fù)性和穩(wěn)定性測(cè)試,得到的平均PCE為7.9%,并且超過(guò)80%的器件PCE大于7.5%,將經(jīng)過(guò)測(cè)試的器件放在手套箱的環(huán)境下,存放240h后,器件的PCE下降5.2%,說(shuō)明制備的SnO2納米片基PSCs性能良好,穩(wěn)定性高。
?。?)錫源為五水合氯化錫,在堿性條件下,選用水熱,分別合成了SnO2納米針和SnO2納米棒
5、,并分別組裝成PSCs,結(jié)構(gòu)為FTO/SnO2/CH3NH3PbI3/Spiro-OMeTAD/Au,經(jīng)過(guò)多組實(shí)驗(yàn)對(duì)比,發(fā)現(xiàn)SnO2納米棒基PSCs比SnO2納米針基PSCs的平均穩(wěn)定性更高,PCE效果更好,SnO2納米棒基PSCs的平均PCE達(dá)到3.67%,明顯高于SnO2納米針基PSCs的2.1%PCE。當(dāng)用TiO2對(duì)SnO2納米棒進(jìn)行前處理和后處理時(shí),PSCs的PCE達(dá)到6.08%,平均PCE達(dá)到5.9%,存放240h后,PCE下
6、降了4.4%,說(shuō)明制備的器件的穩(wěn)定性高,衰減率低。
?。?)錫源為二水合氯化亞錫,采用水熱法合成結(jié)晶度高且形貌規(guī)整的SnO2納米球。將合成的直徑約為50–60nm的SnO2納米球作為骨架支撐層和電子傳輸層引入到PSCs中。通過(guò)優(yōu)化PbI2的旋轉(zhuǎn)速度,獲得12.65%的平均PCE。探討PVP對(duì)制備SnO2納米球的影響以及對(duì)整個(gè)PSCs的影響,發(fā)現(xiàn)添加PVP后,制備的PSCs的效率更高。用TiCl4表面處理SnO2之后,PCE從8.
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