LTPSTFT電流模型在AMOLED像素電路中的應(yīng)用.pdf

1、本文研究了LTPS TFT的電流模型，在前人的基礎(chǔ)上對部分模型進行優(yōu)化，如對亞閾值電流輸出特性的關(guān)注。通過實驗觀測，我們發(fā)現(xiàn)在亞閾值區(qū)中也存在一個飽和電壓，該電壓點主要受載流子的速度飽和效應(yīng)影響。本文還將所有區(qū)域的電流模型整合起來，以便于模型的實際應(yīng)用。將開態(tài)電流模型應(yīng)用于分析最基礎(chǔ)的AMOLED像素驅(qū)動電路----2T1C像素電路中。我們可以明確的計算出像素電路的充電時間、驅(qū)動電流，估算器件的退化效應(yīng)和由寄生電容引起的電荷注入效應(yīng)、時

2、鐘饋通效應(yīng)對驅(qū)動電流的影響。開態(tài)電流模型的參數(shù)物理意義明確，且數(shù)目較少。該模型可用于電路設(shè)計的初步預(yù)估，即在已知的驅(qū)動模式下，通過該方法我們就可以判斷LTPS TFT器件是否能夠滿足驅(qū)動的需求。將LTPS TFT的電流模型應(yīng)用于仿真軟件中，自動化地分析和設(shè)計電路。首先，我們用Verilog-A語言正確的描述出LTPS TFT的電流和電壓行為，再使用與Verilog-A兼容的Hspice仿真器，分析像素電路特性。我們選用較為典型的電壓驅(qū)動