版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)顯示被認(rèn)為是下一代主流的顯示技術(shù)。面向AMOLED顯示發(fā)展所需的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)技術(shù),非晶氧化物半導(dǎo)體,如銦鎵鋅氧(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO),成為關(guān)注的熱點(diǎn)。本論文重點(diǎn)研究基于IGZO TFT的AMOLED像素電路和集成柵極電
2、路的設(shè)計(jì)。
在AMOLED像素電路方面,首先分析影響顯示效果的三個(gè)因素,包括TFT的閾值電壓漂移,OLED器件的性能衰退以及電壓源上的電壓降,以及相應(yīng)的電路補(bǔ)償方法。最后提出一個(gè)新的AMOLED像素補(bǔ)償電路。電路仿真結(jié)果表明該電路能很好的消除這三個(gè)影響因素。
在集成柵極驅(qū)動(dòng)電路方面,首先總結(jié)了目前集成柵極電路設(shè)計(jì)主要采用的三種方法:浮接?xùn)艠O技術(shù)、串聯(lián)雙TFT技術(shù)以及雙時(shí)鐘技術(shù)。進(jìn)一步對(duì)這三種技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了對(duì)比分析
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 非晶銦鋅氧化物薄膜晶體管的研究.pdf
- 基于有機(jī)薄膜晶體管的電子紙顯示器集成柵極驅(qū)動(dòng)電路研究.pdf
- 非晶氧化物薄膜晶體管金屬電極的研究.pdf
- 非晶氧化物薄膜晶體管熱穩(wěn)定性的研究.pdf
- 低壓氧化物薄膜晶體管的研究.pdf
- 氧化物薄膜晶體管的制備與研究.pdf
- 銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管的研究.pdf
- 制備工藝對(duì)非晶銦錫鋅氧化物薄膜晶體管的性能影響研究.pdf
- 非晶ZnTiSnO薄膜的制備及薄膜晶體管性能研究.pdf
- 低壓IZO基氧化物薄膜晶體管的研究.pdf
- 氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的若干研究.pdf
- 溶液法低電壓有機(jī)薄膜晶體管器件及電路集成.pdf
- 有機(jī)薄膜晶體管模型建立及其集成電路設(shè)計(jì).pdf
- 氧化物柵介質(zhì)薄膜晶體管的制備及性能研究.pdf
- 非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管在光照及電應(yīng)力下的退化研究.pdf
- 非晶硅薄膜晶體管的模型研究.pdf
- 有機(jī)薄膜晶體管和氧化鋅薄膜晶體管的制備及研究.pdf
- 低壓雙電層氧化物薄膜晶體管的研究.pdf
- 氧化物薄膜晶體管的制造及其電學(xué)性能研究.pdf
- 鋅錫氧化物薄膜晶體管的制備及其性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論