L10-FePt-A1-FePt雙層膜的交換耦合特性.pdf

1、采用磁控濺射法在解理面不同的MgO基片上取向生長L10-FePt/A1-FePt雙層薄膜，實(shí)現(xiàn)了沿易軸方向磁化的退磁因子最大和最小。通過改變硬磁層的熱處理溫度以及調(diào)整兩層各自的厚度，對雙層薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌、磁疇結(jié)構(gòu)以及磁化行為進(jìn)行了分析。得到的主要結(jié)果如下：
　　(1)在MgO(110)單晶基片上生長10nm厚的FePt薄膜，由于薄膜較薄，(110)超晶格衍射峰的強(qiáng)度較弱。將厚度增加至30nm，(110)峰明顯增強(qiáng)，易軸方向都在膜

2、面內(nèi)。在500℃進(jìn)行熱處理，薄膜開始發(fā)生A1→L10相轉(zhuǎn)變。熱處理溫度再高，薄膜的連續(xù)性遭到嚴(yán)重破壞。因此，500℃為制作交換彈簧硬磁層的最佳熱處理溫度。再在FePt(10nm,500℃)硬磁層上覆蓋20nm厚的A1-FePt薄膜，硬磁層的結(jié)構(gòu)和形貌不受影響，矯頑力由硬磁單層的12kOe降低至硬磁/軟磁雙層的7kOe。雙層膜的磁化曲線出現(xiàn)明顯的雙肩現(xiàn)象。
　　(2)硬磁層的厚度增加到30nm，改變軟磁層的厚度(0,40nm)，矯頑

3、力有明顯改變。軟磁層的XRD圖譜中出現(xiàn)(111)密堆積面的衍射峰，說明軟磁層沒有完全沿[110]外延生長。硬磁層的熱處理溫度為500℃，L10-FePt(110,30nm)/A1-FePt雙層膜交換作用長度滿足20nm　　(3)改用MgO(001)單晶基片，生長L10-FePt(001)(30nm)/A1-FePt(tnm)雙層膜易