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1、納米鐵磁金屬薄膜,近年來不再限于宏觀的、靜態(tài)的物質(zhì)磁性,而是隨著研究的不斷深入,研究方向逐漸拓展到運(yùn)動(dòng)的、單電子的自旋變化。于是實(shí)驗(yàn)上自旋霍爾效應(yīng)、反?;魻栃?yīng)、隧道磁阻(TunnelingMagnetoresistance,TMR)和龐磁阻效應(yīng)(Colossal magnetoresistance, CMR)、自旋量子霍爾效應(yīng)等一系列新的現(xiàn)象應(yīng)運(yùn)而生,并由此拓展產(chǎn)生一個(gè)結(jié)合磁學(xué)與微電子學(xué)的研究領(lǐng)域:自旋電子學(xué)。
反?;魻栃?yīng)
2、(anomalous Hall effect,AHE)是自旋電子學(xué)研究課題中的熱點(diǎn)之一。因?yàn)榛魻栍?889年就已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了反?;魻栃?yīng),但是關(guān)于其機(jī)理有兩種說法,一是來自于非本征機(jī)制,另一種是本征機(jī)制。至今兩種機(jī)制的爭(zhēng)論還在繼續(xù)。因此對(duì)其進(jìn)行研究顯得尤為重要。本文以 Fe-N系化合物薄膜、CoCrPt薄膜為研究對(duì)象,對(duì)其微結(jié)構(gòu)、磁性、輸運(yùn)特性特別是反?;魻栃?yīng)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。主要工作和研究成果如下:
?。?)在室溫下采用射頻磁控濺
3、射方法制備氮化鐵薄膜,研究了不同氮含量條件下薄膜的導(dǎo)電機(jī)制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:隨著氮含量的增加,觀察到薄膜的導(dǎo)電機(jī)制從金屬過渡到半導(dǎo)體。
?。?)霍爾電阻的測(cè)量表明所有氮化鐵薄膜樣品在高電阻區(qū)域反?;魻栯娮杪逝c縱向電阻率的標(biāo)度關(guān)系為線性,即反?;魻栃?yīng)遵循斜散射機(jī)制,但相應(yīng)的反?;魻栯妼?dǎo)率與縱向電導(dǎo)率的關(guān)系不總是呈線性。
?。?)采用磁控濺射方法制備CoCrPt薄膜并系統(tǒng)研究了襯底層Cu層厚度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、磁性、反?;魻栃?yīng)的
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