非晶態(tài)磁性納米薄膜的磁性質研究.pdf

1、Co-Fe基非晶態(tài)磁性納米薄膜是近年來自旋電子學領域研究的熱點材料，由于相比晶態(tài)薄膜具有很多優(yōu)勢，例如結構均勻、軟磁性好、磁各向異性便于調控、在磁性隧道結中能呈現(xiàn)非常高的磁電阻、耐腐蝕、易于實現(xiàn)批量生產(chǎn)等，因此吸引了眾多的研究興趣。不同成分的Co-Fe基非晶態(tài)薄膜能夠保持高磁化強度、很高的居里溫度、高磁導率、以及很低的矯頑力從而易于磁化翻轉，具有很好的潛在應用價值，因此對其磁各向異性的調控及相應微觀機制的研究顯得極為重要。而鐵磁共振因其

2、動力學特性而對磁各向異性靈敏度非常高，并能提供層間耦合、自旋弛豫機制、樣品不均勻性等重要信息，因此是研究磁性薄膜/多層膜的有力工具。
　　本論文以非晶態(tài)Co68Fe24Zr8三明治結構薄膜（雙層膜）、單層薄膜、以及Co20Fe60B20超薄膜為研究對象，采用單頻率或多頻率下室溫和低溫時面內或面外角度依賴性鐵磁共振作為主要研究方法，輔以頻率依賴性鐵磁共振和超導量子干涉儀測量磁矩等研究手段，研究了用不同方法（包括生長時的外加磁場、改變

3、厚度、改變溫度等）對面內、面外磁各向異性的調控，磁各向異性的來源或微觀機制，調控磁各向異性的機制，自旋弛豫機制，以及磁性微觀結構。主要成果為:
　　(1)通過改變生長時外加磁場的方向，可以對Co68Fe24Zr8/Al70Zr30/Co68Fe24Zr8三明治結構中各層Co68Fe24Zr8非晶態(tài)磁性薄膜的面內單軸各向異性實現(xiàn)獨立地調控，使其定位在任意方向，而強度保持在(2.9±0.1)×103J/m3不變。同時兩磁性層也不存在層

4、間耦合，從而在自旋電子學多層膜結構的應用中能夠使各磁性層之間完全獨立。
　　(2)通過多頻轉角鐵磁共振研究中理論擬合得到的g因子和低溫下轉角鐵磁共振研究得到的面內單軸各向異性隨溫度的變化關系研究了各向異性的來源，表明Co68Fe24Zr8非晶態(tài)磁性薄膜的宏觀面內單軸各向異性來源于大量具有局域單軸各向異性的短程有序的原子團簇，其局域各向異性機制為單離子各向異性。
　　(3)通過對比生長時外加磁場狀態(tài)不同的三個Co68Fe24Z

5、r8非晶態(tài)磁性單層薄膜，研究了薄膜的磁性微觀結構和調控磁各向異性的機制。通過建立磁性微觀模型和理論模擬，進一步證明薄膜宏觀面內單軸各向異性的來源是大量在拓撲結構上無規(guī)則分布的、具有短程序和局域單軸各向異性的原子團簇。研究表明這種局域單軸各向異性的方向呈高斯分布，并且可以在樣品生長時被外加生長磁場定位到同一方向，而局域各向異性常數(shù)Kloc2‖值不受生長場影響，保持在（3.0±0.2）×103J/m3，這便是調控Co68Fe24Zr8非晶態(tài)

6、薄膜面內單軸各向異性的機制。
　　(4)對生長時加面內磁場的Co68Fe24Zr8非晶態(tài)單層膜進行的頻率依賴性鐵磁共振研究，對線寬的頻率依賴性的擬合表明，薄膜中具有局域各向異性的原子團簇內部的自旋弛豫機制以本征(Gilbert)阻尼機制為主，得到Gilbert阻尼因子α=(6.1±0.1)×10-3，與上述模擬得到的參數(shù)吻合很好，因而是上述磁性微觀模型的一個佐證。同時也給出了薄膜中存在非本征線寬機制。
　　(5)通過改變Co

7、20Fe60B20超薄膜的厚度，可以調控其面外即垂直單軸各向異性，使其易磁化軸取向為薄膜面內（較厚）或者薄膜法向（較?。?。調控機制為薄膜二級垂直各向異性場2K1/2/Ms（易垂直）與退磁場μ0Ms（易平面）之間的競爭。隨著膜厚減小，二級垂直各向異性常數(shù)K⊥2增加，而飽和磁化強度衰減，使得二級垂直各向異性場逐漸大于薄膜退磁場，薄膜磁矩愈加傾向于沿薄膜法向排列。
　　(6)選擇厚度合適的Co20Fe60B20超薄膜，通過改變其溫度，也

8、可以調控其面外各向異性，使其隨溫度降低由二度對稱向四度對稱過渡。其調控的直接機制為二級、四級有效垂直各向異性場Beff2和Beff4數(shù)值相當且隨溫度降低而分別遞減與遞增。選取厚度合適的薄膜使其二級垂直各向異性場2K1/2/Ms與退磁場μ0Ms數(shù)值相當，Beff2數(shù)值很小，與Beff4相當，因而是用厚度和溫度共同實現(xiàn)了對磁各向異性的調控。
　　(7)Co20Fe60B20超薄膜二級、四級垂直各向異性常數(shù)隨溫度的變化K1/2(T)和K