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文檔簡介
1、隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展,磁感應元件越來越向微型化、集成化、高頻化方向發(fā)展,而電磁干擾和電磁污染的逐步增加,也使我們對吸波材料提出了更高的要求。因此,具有高飽和磁化強度和良好高頻動態(tài)特性的軟磁性薄膜越來越受到重視,對高頻軟磁性薄膜的深入研究對于滿足這些需求具有重要的意義。 FeCo合金因為具有最高的飽和磁化強度而備受關(guān)注,但是FeCo合金因具有較大的磁晶各向異性和磁滯伸縮系數(shù)而難以實現(xiàn)軟磁性能。最近的研究表明Fe70Co30N、
2、Fe60Co40N、Fe81Co19N薄膜具有良好的軟磁性能,但其熱穩(wěn)定性能很差,當退火溫度高于200℃時,其軟磁性能基本消失。在FeCoN體系中摻入適當?shù)脑赜欣诟纳破錈岱€(wěn)定性,因此本文工作用磁控濺射方法制備了一系列Fe:Co原子比為64.8:35.2的FeCoAlN薄膜,對它們的結(jié)構(gòu)、靜態(tài)磁性、動態(tài)磁性及熱穩(wěn)定性進行了研究。研究結(jié)果表明:FeCoAlN薄膜可以實現(xiàn)良好的軟磁性和高頻特性,并且(Fe64.8Co35.2)AlN薄膜的
3、熱穩(wěn)定性隨著Al含量的提高而得到顯著改善。主要結(jié)果如下: (1)Al含量為3.7%的濺射態(tài)(Fe64.8Co35.2)96.3Al3.7N薄膜,在N2/(Ar+N2)流量比(R)為9%時表現(xiàn)為良好的軟磁性和面內(nèi)單軸各向異性,磁導率譜表現(xiàn)出良好的高頻特征,自然共振頻率大于2GHz,磁導率實部在衰落前大于400。 (2)R為9%的(Fe64.8Co35.2)AlN薄膜,當Al含量小于6.2%時,在濺射態(tài)表現(xiàn)出良好的軟磁性和單
4、軸各向異性,動態(tài)磁性表現(xiàn)為良好的一致共振模式,共振頻率大于2GHz,隨著Al含量進一步的增加,由于薄膜中應力的增加,矯頑力增大,單軸各向異性不明顯,動態(tài)表現(xiàn)變差。 (3)薄膜的磁性熱穩(wěn)定性隨著Al含量的提高明顯改善,不同Al含量的薄膜在不同的最優(yōu)退火溫度Topt以上熱處理60 min后,由軟磁性和單軸各向異性向硬磁和各向同性轉(zhuǎn)變,動態(tài)磁性也相應變差,而最優(yōu)退火溫度Topt隨著Al含量的增加而提高。不含Al的(Fe64.8Co35
5、.2)N薄膜在150℃熱處理時仍然保持較好的軟磁性和動態(tài)特征,但在200℃熱處理后,矯頑力急劇增加,難軸各向異性消失,磁導率很低,沒有共振現(xiàn)象出現(xiàn)。含Al為13.5%的薄膜在400℃熱處理后仍然保持良好的軟磁性、單軸各向異性和一致共振的動態(tài)特性,自然共振頻率1.89GHz,磁導率實部在衰落之前大于380。 (4)濺射態(tài)(Fe64.8Co35.2)93.8Al6.2N薄膜的飽和磁化強度隨著膜厚的變化幾乎沒有變化,這說明飽和磁化強度
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