GaN功率器件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、目前氮化鎵（GaN）寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著耐高電壓、耐高溫、耐輻照、抗腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，以及自身高熱導(dǎo)率、寬帶隙、大電子漂移速度等特性迅速成為了第三代新型半導(dǎo)體材料，適合于生產(chǎn)在高溫高電壓環(huán)境下工作的高頻高效大功率器件。GaN器件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)是基于現(xiàn)有平臺(tái)，設(shè)計(jì)GaN器件封裝后的自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，提升測(cè)試能力和測(cè)試效率；針對(duì)GaN大功率微波器件測(cè)試參數(shù)多、器件參數(shù)水平高等特點(diǎn)，通過GaN大功率微波器件測(cè)試技術(shù)研究，開發(fā)以現(xiàn)有測(cè)試儀器設(shè)備和新增信號(hào)

2、路由單元為基礎(chǔ)的高集成度智能化自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，為全面考核、真實(shí)反映器件性能水平并極大提升測(cè)試效率提供測(cè)試技術(shù)保障。
　　本測(cè)試系統(tǒng)硬件部分以計(jì)算機(jī)（工控機(jī)）作為控制核心，基于測(cè)試開發(fā)管理軟件平臺(tái)和測(cè)試方法集，通過標(biāo)準(zhǔn)儀用總線和接口將自動(dòng)測(cè)試儀器及設(shè)備、被測(cè)信號(hào)處理及分配通道組建成靈活的自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。首先搭建了測(cè)試系統(tǒng)的硬件組成框圖，在深入研究了傳統(tǒng)脈沖測(cè)試的脫敏現(xiàn)象后，利用整個(gè)頻譜來獲得更高的精度，并結(jié)合頻域的最小均方算法和時(shí)域的包

3、絡(luò)卷積算法來減少脫敏現(xiàn)象。同時(shí)驗(yàn)證了測(cè)試需求中器件的各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)，保證了測(cè)試系統(tǒng)硬件部分的可行性。
　　本測(cè)試系統(tǒng)軟件部分采用分層開放式架構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，隔離不同層次的功能模塊，規(guī)定單一的數(shù)據(jù)接口進(jìn)行信息交換與共享。按層次劃分，整個(gè)軟件從底層到上層分為驅(qū)動(dòng)層、功能層與交互層三個(gè)層次，滿足高內(nèi)聚，低耦合的原則。本測(cè)試系統(tǒng)采用單次連接多次測(cè)試（Single Connect Multiple Measurement, SCMM）技術(shù)，在保證