基于P溝道存儲(chǔ)單元的高可靠性閃存設(shè)計(jì).pdf

1、Flash是一種廣泛應(yīng)用于SoC上的重要存儲(chǔ)器，在高密度數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用不斷增加。隨著工藝的進(jìn)步，晶體管特征尺寸降低到了十個(gè)納米的數(shù)量級(jí)，隨機(jī)摻雜擾動(dòng)等帶來(lái)的工藝偏差、閾值電壓降低帶來(lái)的高漏電流等也給Flash設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)。
　　論文以Flash存儲(chǔ)器工作的可靠性為研究重點(diǎn)，主要對(duì)Flash存儲(chǔ)器的外圍電路中的靈敏放大器電路、電荷泵電路、字線驅(qū)動(dòng)電路和電平轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，提高了外圍電路模塊的可靠性。基

2、于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的8Mbits非易失性存儲(chǔ)器。本文系統(tǒng)平臺(tái)建立在Cadence Virtuoso之上，用Hspice進(jìn)行了電路的功能模塊仿真，而整體電路的仿真用的是Hsim軟件，電路版圖使用Laker進(jìn)行繪制。
　　本論文的主要內(nèi)容和研究對(duì)象是：
　　首先，本文對(duì)存儲(chǔ)單元采用何種溝道的浮柵MOS管進(jìn)行了對(duì)比分析，將P溝道浮柵MOS管和N溝道浮柵MOS管的可靠性做了對(duì)比，得出P溝通存儲(chǔ)單元相對(duì)于N溝道存儲(chǔ)單元在可靠性方面的優(yōu)

3、勢(shì)，因此本文最終選擇了P溝道浮柵MOS管作為存儲(chǔ)單元。
　　其次，本文研究了Flash存儲(chǔ)器外圍電路中的靈敏放大器電路、電荷泵電路、字線驅(qū)動(dòng)電路和電平轉(zhuǎn)換電路。對(duì)這幾個(gè)外圍電路的傳統(tǒng)電路進(jìn)行分析，找出各自存在的缺點(diǎn)，并據(jù)此設(shè)計(jì)出符合要求的電路，通過(guò)Hspice對(duì)設(shè)計(jì)出的電路進(jìn)行仿真分析，所設(shè)計(jì)電路都達(dá)到了設(shè)計(jì)目標(biāo)。
　　另外，本文在最后一章節(jié)中首先簡(jiǎn)要介紹了版圖的設(shè)計(jì)布局、布線規(guī)則，之后對(duì)本課題的IP版圖設(shè)計(jì)進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹。