LDO設(shè)計(jì)與溫漂校準(zhǔn)研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、LDO具有較小的面積、功耗低、高電源抑制比,較好的線性瞬態(tài)響應(yīng)以及效率較高的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于LDO性能的要求越來(lái)越高,比如:在一些溫度范圍變化較大的的環(huán)境下,LDO的溫漂系數(shù)要求相當(dāng)嚴(yán)格。
　　本文首先闡述了LDO的工作的原理,并且詳細(xì)地研究和分析了LDO的各種性能參數(shù)。基于TSMC0.18um CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一款高性能的LDO。設(shè)計(jì)的LDO通過(guò)了spectre軟件的仿真。仿真的結(jié)果表明:LDO的電源電壓是3V,輸出的電壓是1.8

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