利用SECM直接模式實(shí)現(xiàn)導(dǎo)體表面微區(qū)可控加工.pdf

1、掃描電化學(xué)顯微鏡(SECM)具有操作簡便、分辨率高、快捷高效、成本較低等優(yōu)點(diǎn)，SECM在微區(qū)加工中具有顯著的優(yōu)勢。本論文利用SECM直接模式研究了導(dǎo)體表面的微區(qū)可控加工。
　　本論文主要研究工作包括:
　　(1)利用SECM直接模式在玻碳片上實(shí)現(xiàn)了金屬鉑的微區(qū)可控沉積，研究了沉積電位、沉積時(shí)間、氯鉑酸濃度等對徽區(qū)沉積輪廓尺寸和微觀顆粒形貌的影響，發(fā)現(xiàn)沉積點(diǎn)的顆粒形貌具有梯度變化的特點(diǎn)，顆粒大小隨著沉積條件的變化而變化。沉積電

2、位主要影響輪廓直徑;而沉積時(shí)間主要影響膜層厚度?；诖艘虼送ㄟ^調(diào)控相關(guān)工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)了金屬鉑在玻碳表面的微區(qū)可控沉積。利用SECM的基體產(chǎn)生-探針收集(SG-TC)模式對鉑沉積層的析氫性能進(jìn)行了探究，發(fā)現(xiàn)該方法沉積的鉑層具有良好的析氫性能。
　　(2)將濕法刻蝕與SECM直接模式相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了ITO導(dǎo)電玻璃的微區(qū)可控刻蝕，發(fā)現(xiàn)這種方法在基體所研究的全電位范圍內(nèi)都能實(shí)現(xiàn)ITO的刻蝕，并對刻蝕機(jī)理進(jìn)行了分析。認(rèn)為在基體的陽極電位范圍內(nèi)主要