復(fù)合脈沖高功率磁控濺射數(shù)值仿真及Ti靶放電實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、高功率磁控濺射技術(shù)由于高功率脈沖引起高等離子體密度，可以制備出性能良好的薄膜體系。但是其較低的平均功率和較低的沉積速率限制了其在生產(chǎn)過(guò)程中的發(fā)展。本文利用了高低復(fù)合脈沖的電壓工作模式，以獲得高離子密度的同時(shí)，提高薄膜沉積速率。
　　使用PIC_MC模型對(duì)放電過(guò)程進(jìn)行仿真，以研究放電過(guò)程各種因素的作用機(jī)理。結(jié)果顯示，在空間場(chǎng)效應(yīng)引起等離子體的特殊分布形式，進(jìn)而引起空間電場(chǎng)的變化。隨著放電進(jìn)行，空間電場(chǎng)強(qiáng)度逐漸升高，導(dǎo)致出現(xiàn)陰極鞘層和

2、高濃度離子區(qū)。隨著陰極電壓的升高，離化程度加劇，等離子體密度升高，電流密度增加。而復(fù)合脈沖粒子分布和電勢(shì)分布與單脈沖近似，高低脈沖耦合期間等離子體密度能夠得到維持，但是能量則會(huì)迅速下降。
　　對(duì)復(fù)合脈沖電源在真空室使用Ti靶進(jìn)行放電測(cè)試，由于真空室內(nèi)等離子體負(fù)載非線性的特征，電流波形較為復(fù)雜。單脈沖放電過(guò)程隨著電壓的提高，放電狀態(tài)從原子激發(fā)、氣體離化到高價(jià)電離的轉(zhuǎn)變。溫度引起的靶面稀疏效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致電流峰值的減弱。通過(guò)采用一個(gè)高幅值短

3、脈寬形式的脈沖置于前端進(jìn)行引燃，發(fā)現(xiàn)在一定范圍內(nèi)，增加高脈沖幅值或增加高脈沖脈寬可以大幅度提高單位功率下的平均基體電流。同時(shí)，通過(guò)光譜分析，發(fā)現(xiàn)復(fù)合脈沖高功率磁控濺射技術(shù)可以改善離化率和濺射產(chǎn)額，從而獲得金屬離子含量較多的離子流。同時(shí)通過(guò)改變高脈沖的幅值和脈寬，可以對(duì)基體電流峰值和平均值進(jìn)行控制。
　　在高功率脈沖過(guò)程中，相比于靶電流變化，基體電流存在反應(yīng)滯后的現(xiàn)象，其電流具有較平緩的上升和下降過(guò)程，并容易產(chǎn)生時(shí)間較長(zhǎng)的電流平臺(tái)。