版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、盡管濺射沉積MoS<,2>薄膜已成為星上精密活動(dòng)件表面潤(rùn)滑改性的主要手段之一,但是當(dāng)前的薄膜制備技術(shù)依然存在大氣防潮能力低、真空環(huán)境中耐磨壽命不夠長(zhǎng)以及復(fù)雜形狀活動(dòng)件表面均勻成膜、批量生產(chǎn)困難等缺陷。為了滿足我國(guó)空間飛行器后續(xù)發(fā)展對(duì)功能擴(kuò)展、壽命提高以及研制周期縮短提出的工程應(yīng)用急需,本研究采用近年來新開發(fā)的非平衡磁控濺射沉積技術(shù),并通過在MoS<,2>薄膜中摻雜金屬Ti有效地彌補(bǔ)了當(dāng)前制備技術(shù)的缺陷,提高了薄膜的性能。本文重點(diǎn)研究了薄
2、膜制備工藝參數(shù)變化對(duì)其結(jié)構(gòu)和性能的影響及作用機(jī)理,最終獲得了優(yōu)化的工藝并達(dá)到了工程應(yīng)用水平。 研究工作取得的主要?jiǎng)?chuàng)新性結(jié)果如下: 1、首次系統(tǒng)、細(xì)致地研究了濺射靶功率、非平衡磁控線圈電流、工件臺(tái)偏壓、工作氣體流量、工件臺(tái)轉(zhuǎn)速、薄膜沉積溫度、沉積時(shí)間多項(xiàng)工藝參數(shù)與薄膜的結(jié)構(gòu)和性能之間的關(guān)系,對(duì)變化機(jī)理進(jìn)行了深入的分析和探討,掌握了優(yōu)化的薄膜制備工藝。 2、首次闡明在大氣和真空環(huán)境中,使MoS<,2>-Ti復(fù)合薄膜具
3、有潤(rùn)滑能力的允許Ti含量不同,大氣環(huán)境為17~20 wt.%,真空為12~15 wt.%,大氣中允許的Ti含量較高與氧存在下摩擦對(duì)偶間形成Fe<,2>O<,3>和MoO<,3>,從而有利于MoS<,2>轉(zhuǎn)移膜的形成以及加強(qiáng)了轉(zhuǎn)移膜與摩擦對(duì)偶間的附著力有關(guān)。 3、首次提出通過薄膜硬度以及附著力測(cè)試圖片來預(yù)測(cè)其在真空環(huán)境中的摩擦學(xué)性能,當(dāng)薄膜納米壓入硬度高于5 GPa或附著力測(cè)試圖片上的劃痕表現(xiàn)為鋸齒狀崩落時(shí),薄膜在真空環(huán)境中的耐磨
4、壽命差甚至失去潤(rùn)滑能力,產(chǎn)生的機(jī)理是在加強(qiáng)的離子流轟擊作用下薄膜顆粒尺寸不斷減小以致破壞了MoS<,2>晶間和晶內(nèi)的滑移能力。 4、開展了試驗(yàn)條件與薄膜真空摩擦學(xué)性能的關(guān)系研究,獲得了多種試驗(yàn)載荷、轉(zhuǎn)速、基底材料、表面處理狀態(tài)下薄膜的真空耐磨壽命,發(fā)現(xiàn)轉(zhuǎn)速在250~1000 r/min內(nèi)變化時(shí)薄膜耐磨壽命基本不變,從而提出可利用此特點(diǎn)對(duì)經(jīng)該工藝潤(rùn)滑的活動(dòng)機(jī)構(gòu)開展有效的加速壽命試驗(yàn)。 5、首次證明該工藝在空間精密滾動(dòng)軸承上
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- MoS-,2--Ti及CrTiAlN+MoS-,2--Ti復(fù)合涂層組織和性能的研究.pdf
- 射頻磁控濺射法MoS-,2-薄膜制備研究.pdf
- 磁控濺射MoS-,2--WS-,2-復(fù)合薄膜的制備及其摩擦學(xué)性能研究.pdf
- 中頻非平衡磁控濺射制備硬質(zhì)復(fù)合薄膜的研究.pdf
- 多元氮化物涂層和MoS-,2--Ti涂層的研究與應(yīng)用.pdf
- 磁控濺射制備MoS2基復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)與性能研究.pdf
- 非平衡磁控濺射沉積系統(tǒng)放電特性和沉積TiN-,x-薄膜應(yīng)用研究.pdf
- 閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射沉積的CrAlN薄膜組織結(jié)構(gòu)和性能研究.pdf
- 磁控濺射IF-MoS-,2-及MoS-,2--Mo梯度鍍層的摩擦磨損性能.pdf
- 非平衡磁控濺射Ti-Ni合金薄膜的制備及其力學(xué)性能研究.pdf
- 類富勒烯MoS-,2-的制備與MoS-,2-基復(fù)合薄膜的制備.pdf
- 磁控濺射Ti-W-N和Ti-W-N-MoS2薄膜的制備及摩擦學(xué)性能研究.pdf
- 反應(yīng)磁控濺射沉積AlN薄膜特性研究.pdf
- 磁控濺射法沉積硅薄膜的研究.pdf
- 中頻非平衡磁控濺射制備TiAlN薄膜及其性能研究.pdf
- 非平衡磁控濺射離子鍍TiN硬質(zhì)薄膜研究.pdf
- 磁控濺射沉積氫化非晶硅薄膜及其結(jié)晶過程的研究.pdf
- 非平衡磁控濺射離子鍍制備TiAlN薄膜及其性能研究.pdf
- 磁場(chǎng)非平衡度對(duì)磁控濺射Cr鍍層沉積過程的影響.pdf
- 反應(yīng)磁控濺射制備(Ti,Al)N薄膜的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論