MEMS微橋結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與光刻工藝參數(shù)優(yōu)化.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、非制冷紅外探測器的發(fā)展是從20世紀(jì)80年代開始的,因其具有成本低、無需制冷、可靠性高、可集成、工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn),在民用和軍用市場得到了廣泛應(yīng)用。非制冷紅外探測陣列芯片主要包括讀出電路、熱敏材料及微橋結(jié)構(gòu),利用光-熱-電轉(zhuǎn)換原理工作。MEMS結(jié)構(gòu)的探測微橋能夠有效降低探測單元的熱傳導(dǎo),從而保證探測器在室溫環(huán)境下有較高的靈敏度。所以,開展低熱導(dǎo)微橋結(jié)構(gòu)的研究對(duì)高性能非制冷焦平面探測器的研制具有重要意義。微橋結(jié)構(gòu)的每個(gè)層次圖形均通過光刻工藝

2、實(shí)現(xiàn),并且光刻工藝決定了探測器的關(guān)鍵尺寸,因此實(shí)驗(yàn)探索一套優(yōu)化的光刻工藝是微橋結(jié)構(gòu)探測器件制備的關(guān)鍵。
  本文的目標(biāo)是利用MEMS技術(shù),基于氧化釩材料開展的非制冷紅外探測陣列的設(shè)計(jì)與制備,并且對(duì)半導(dǎo)體工藝中的光刻工藝提出優(yōu)化。主要內(nèi)容是:
  (1)分析非制冷紅外探測器的工作原理、微橋結(jié)構(gòu)特征、熱學(xué)以及力學(xué)性能,根據(jù)仿真分析設(shè)計(jì)出參數(shù)不同的微橋結(jié)構(gòu),運(yùn)用 IntelliSuite軟件對(duì)設(shè)計(jì)的微橋結(jié)構(gòu)進(jìn)行力學(xué)和熱學(xué)仿真,分析

3、仿真結(jié)果;仿真最佳結(jié)果:像元尺寸為25×25μm2,橋腿寬度為0.9μm。
  (2)實(shí)際制備出所設(shè)計(jì)的微橋結(jié)構(gòu),并與仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,觀察其力學(xué)穩(wěn)定性;本文所設(shè)計(jì)的微橋結(jié)構(gòu)參考了改良后的傳統(tǒng)L型橋腿模型,采用了L型雙懸臂梁結(jié)構(gòu)。
  (3)在制備微橋結(jié)構(gòu)的工藝中進(jìn)行的優(yōu)化及對(duì)其中的光刻工藝做出的改善。通過對(duì)金屬薄膜表面形貌的判斷,選用不同對(duì)準(zhǔn)方式提高套刻精確性;根據(jù)濕法腐蝕的特點(diǎn),改善光刻工藝涂膠方法,改善橫向腐蝕現(xiàn)象。<

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