0.18微米存儲器光刻工藝參數的優(yōu)化研究

1、復旦大學碩士學位論文0.18微米存儲器光刻工藝參數的優(yōu)化研究姓名：程高龍申請學位級別：碩士專業(yè)：微電子指導教師：劉冉20070227摘要本文主要研究了一種典型的堆棧式存儲器光刻工藝參數的優(yōu)化問題，以期來闡明光刻深紫外時代工藝參數控制的重點，尤其對存儲器類產品具有指導意義。本文主要針此產品光刻工藝中遇到的四個大問題進行了研究和優(yōu)化，找到了解決方法并成功地實現了此產品的量產。具體內容如下：1前段scanner機臺和后段stepper機臺對準

2、的匹配問題該產品前段因為工藝要求高，需要在價格昂貴的scanner曝光機實施光刻，而后段工藝要求低，只需要在價格一般的stepper曝光機上實施光刻。雖然這樣最大程度地降低了生產成本，但是同時也產生了其他問題，其中一個需要重點考慮的就是兩種機臺對準的匹配問題。該問題會在本文中研究并找到解決方法。2晶圓邊緣電容圖形由于偏焦導致的圖形掀起問題該產品為了達到單個芯片更大的存儲容量，制造電容圖形工藝時，圖形的深度與直徑比很大，偏焦的圖形在后續(xù)工

3、藝中特別容易傾倒，尤其在后續(xù)酸槽工藝中更是容易掀起，傾灑到整個晶圓之上，從而嚴重影響了產品的良率。由于圖形聚集不良特別容易在晶圓邊緣表面不平的地方出現，本文會對晶圓邊緣地帶的曝光進行研究，找到防止晶圓邊緣偏焦的方法。3DUV光刻膠由于光酸橫向擴散速度過快導致的圖形缺陷問題該產品在使用一光刻膠廠商的光刻膠時，發(fā)現圖形缺陷問題，本文會對此現象進行研究，以找到控制光酸擴散過快的方法，從而解決光刻圖形缺陷的問題。4氨氣污染導致的DUV光刻膠光刻