0.18微米存儲(chǔ)器光刻工藝參數(shù)的優(yōu)化研究

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文0.18微米存儲(chǔ)器光刻工藝參數(shù)的優(yōu)化研究姓名：程高龍申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子指導(dǎo)教師：劉冉20070227摘要本文主要研究了一種典型的堆棧式存儲(chǔ)器光刻工藝參數(shù)的優(yōu)化問題，以期來(lái)闡明光刻深紫外時(shí)代工藝參數(shù)控制的重點(diǎn)，尤其對(duì)存儲(chǔ)器類產(chǎn)品具有指導(dǎo)意義。本文主要針此產(chǎn)品光刻工藝中遇到的四個(gè)大問題進(jìn)行了研究和優(yōu)化，找到了解決方法并成功地實(shí)現(xiàn)了此產(chǎn)品的量產(chǎn)。具體內(nèi)容如下：1前段scanner機(jī)臺(tái)和后段stepper機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)

2、的匹配問題該產(chǎn)品前段因?yàn)楣に囈蟾?，需要在價(jià)格昂貴的scanner曝光機(jī)實(shí)施光刻，而后段工藝要求低，只需要在價(jià)格一般的stepper曝光機(jī)上實(shí)施光刻。雖然這樣最大程度地降低了生產(chǎn)成本，但是同時(shí)也產(chǎn)生了其他問題，其中一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的就是兩種機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的匹配問題。該問題會(huì)在本文中研究并找到解決方法。2晶圓邊緣電容圖形由于偏焦導(dǎo)致的圖形掀起問題該產(chǎn)品為了達(dá)到單個(gè)芯片更大的存儲(chǔ)容量，制造電容圖形工藝時(shí)，圖形的深度與直徑比很大，偏焦的圖形在后續(xù)工

3、藝中特別容易傾倒，尤其在后續(xù)酸槽工藝中更是容易掀起，傾灑到整個(gè)晶圓之上，從而嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的良率。由于圖形聚集不良特別容易在晶圓邊緣表面不平的地方出現(xiàn)，本文會(huì)對(duì)晶圓邊緣地帶的曝光進(jìn)行研究，找到防止晶圓邊緣偏焦的方法。3DUV光刻膠由于光酸橫向擴(kuò)散速度過快導(dǎo)致的圖形缺陷問題該產(chǎn)品在使用一光刻膠廠商的光刻膠時(shí)，發(fā)現(xiàn)圖形缺陷問題，本文會(huì)對(duì)此現(xiàn)象進(jìn)行研究，以找到控制光酸擴(kuò)散過快的方法，從而解決光刻圖形缺陷的問題。4氨氣污染導(dǎo)致的DUV光刻膠光刻