一種新的光罩霧狀缺陷的檢測(cè)方法研究.pdf

1、光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造業(yè)的核心技術(shù),而光罩又是光刻技術(shù)的模具,所以光罩缺陷一直都是很重要的缺陷。傳統(tǒng)的光罩缺陷我們可以通過(guò)現(xiàn)有檢測(cè)方式能夠檢測(cè)到,但是霧狀缺陷由于其形成原因及缺陷本身的尺寸較小,不易被檢測(cè)到;但是霧狀缺陷作為一種光罩的常見(jiàn)缺陷,又會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)在光罩和產(chǎn)品上。近年來(lái),隨著產(chǎn)品線寬的逐漸縮小,產(chǎn)品對(duì)霧狀缺陷的容忍度也越來(lái)越低,這就要求這些半導(dǎo)體加工廠要及時(shí)準(zhǔn)確的發(fā)現(xiàn)霧狀缺陷,傳統(tǒng)的對(duì)霧狀缺陷的檢測(cè)方式都是依賴于光罩掃描設(shè)備,但是

2、這種方式對(duì)的掃描設(shè)備的需求量大,且該設(shè)備成本高,掃描精度雖然高但是掃描效率低。
　　本論文就著重從霧狀缺陷的檢測(cè)方式入手研究,基于公司現(xiàn)有設(shè)備和軟件條件出發(fā),力求采用低成本高效率的方式檢測(cè)到霧狀缺陷,論文的重點(diǎn)是研究一種新的霧狀缺陷的檢測(cè)方法。其做法就是基于傳統(tǒng)的光罩曬版檢測(cè)缺陷方式優(yōu)化,傳統(tǒng)的光罩曬版方式就是應(yīng)用于檢測(cè)光罩的一般缺陷和產(chǎn)品的一般缺陷。新的檢測(cè)方式就是通過(guò)對(duì)產(chǎn)品曝光能量的降低來(lái)達(dá)到霧狀缺陷最好呈現(xiàn)在晶圓上面,同時(shí)通