微納復合結構中的電磁波特性研究.pdf

1、隨著集成光學以及納米技術的飛速發(fā)展，實現(xiàn)對電磁波特性的調控已成為了時代發(fā)展的需求，包括石墨烯在內的物理敏感材料也成為研究的熱點。
　　本文首先研究了石墨烯與半導體復合納米層狀結構的表面等離子體波傳播特性。詳細地推導了表面波在石墨烯與半導體組合而成的納米層狀結構中的色散關系，并通過數(shù)值計算，獲得了不同磁場情況下的表面等離子體激元傳播長度隨頻率和化學勢的變化關系。數(shù)值計算表明，表面等離子體激元在 石墨烯與半導體復合納米層狀結構中有兩種

2、傳播模式，即對稱模式和反對稱模式;外加磁場對傳播長度有著明顯的影響，且隨著磁場的增強，傳播長度的截止頻率也會增大;且對于相同化學勢，外加磁場越大，表面等離子體激元的傳播長度也會增大，并逐漸趨于飽和。
　　本文還研究了包括石墨烯在內的核殼柱形結構電磁散射特性，特別是引入了半導體材料作為芯區(qū)材料。在單層石墨烯包覆介質柱下，重點分析了石墨烯化學勢以及外加磁場對于消光截面峰值的影響。通過數(shù)值分析發(fā)現(xiàn)，化學勢對于消光截面所對應的頻率有著明顯

3、地影響，隨著石墨烯化學勢的增大，消光截面曲線峰值所對應的頻率會向著高頻方向移動，但是曲線峰值卻是會隨之降低;另外，隨著磁場的增大，消光截面曲線主峰會慢慢地向高頻方向移動，由于磁場存在而形成的子峰則會漸漸地向低頻方向移動，當磁場增大到一定值時，主峰和子峰會慢慢融合成為一個新的消光截面曲線峰，而繼續(xù)增大磁場，消光截面的峰值卻會慢慢降低。雙層石墨烯柱核殼介質柱的消光特性與單層石墨烯柱核殼介質柱相類似，但當改變內芯材料為空氣時，子峰會出現(xiàn)在相較