GLSI多層銅布線低壓力低磨料濃度CMP工藝與材料的研究.pdf

1、隨著集成電路器件特征尺寸的持續(xù)縮小，晶圓尺寸的不斷增大，為了更有效的提高器件的使用壽命和可靠性，要求晶圓表面必須實現(xiàn)全局平坦化，而銅互連線的化學機械拋光技術(CMP)是當前能夠?qū)崿F(xiàn)芯片表面全局平坦化的唯一實用技術。
　　隨著布線層數(shù)的增加和低K介質(zhì)材料的應用，低壓力CMP過程是目前攻關的關鍵技術，與此同時，為了減少CMP后晶圓表面的磨料粒子殘留，低磨料濃度CMP過程的控制顯得尤為重要。本文針對上述發(fā)展趨勢，對低壓力低磨料條件下CM

2、P工藝與材料進行了理論與技術的研究。
　　在銅互連線低壓力低磨料化學機械平坦化過程中，堿性FA/O型螯合劑超強的螯合能力為銅膜獲得高拋光速率和低表面粗糙度提供了保證。本文深入研究了Cu/SiO2催化體系對整個CMP過程中的化學反應速率的影響，并對該催化反應進行了電化學分析。在理論分析的基礎上對300mm blanket銅膜進行了低磨料化學機械拋光，結果表明：在壓力為13780Pa，拋光機轉(zhuǎn)速為65/65rpm，流量為175ml/m