GaN材料的CMP加工機(jī)理與工藝技術(shù)的研究.pdf

1、第三代半導(dǎo)體GaN晶體，由于其特殊的物理、化學(xué)及良好的光學(xué)性能，在航空航天、探測(cè)、衛(wèi)星等先進(jìn)領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛，因此對(duì)該晶體無(wú)缺陷生長(zhǎng)及無(wú)損傷加工的要求也越來(lái)越高。由于其屬于典型硬脆材料，超精密加工十分困難?，F(xiàn)有對(duì)GaN晶體的加工方法，主要集中在刻蝕或利用堿性溶液對(duì)其進(jìn)行電離等技術(shù)方法，這些加工方法條件要求苛刻，且加工效率不是很高，很難實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
　　 針對(duì)以上問(wèn)題，本文嘗試性的提出了一種對(duì)GaN晶體的CMP(機(jī)械研磨拋光)

2、技術(shù)方法，選用特殊的研磨拋光液，對(duì)該晶體進(jìn)行先研磨后精密拋光。這種方法加工設(shè)備比較簡(jiǎn)單，利于批量生產(chǎn)，且得到的晶片表面精度較高，晶片的內(nèi)層損傷較小。本文的主要研究工作包括以下幾個(gè)方面：
　　 1．進(jìn)行了單晶GaN晶片的研磨拋光工藝實(shí)驗(yàn)，研究了磨粒粒度、壓力、研磨拋光時(shí)間及研磨拋光液等參數(shù)對(duì)GaN晶片質(zhì)量的影響，通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析，對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了合理選擇，同時(shí)得到的晶片表面質(zhì)量較高，表面損傷較??；
　　 2．從單顆粒與晶片表面

3、的微型接觸模型入手，對(duì)單顆粒在加工過(guò)程中的受力、參與磨削的顆粒數(shù)量、磨粒對(duì)晶片表面的材料去除率等方面進(jìn)行了理論分析。對(duì)晶片表面可能產(chǎn)生的化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行了探討，并分析了由于這種反應(yīng)對(duì)晶片材料去除的影響；
　　 3．應(yīng)用掃描電子顯微鏡、納米力學(xué)顯微鏡、X射線光電子能譜儀等儀器，對(duì)加工后的晶片結(jié)果進(jìn)行了表面測(cè)試和亞表面損傷的檢測(cè)分析，得到了不同工藝參數(shù)對(duì)GaN晶片表面產(chǎn)生的劃痕深度的影響；同時(shí)利用納米壓痕儀器進(jìn)行納米壓痕與劃痕實(shí)驗(yàn)，與工