低導(dǎo)通電阻碳化硅光導(dǎo)開關(guān)研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩62頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、光導(dǎo)開關(guān)是一種光控電開關(guān),因其可容功率大、體積小、耐擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻小、響應(yīng)速度快、重復(fù)頻率高、抖動小和可靠性高等特點,逐漸受到脈沖功率領(lǐng)域?qū)W者們的關(guān)注,也因其能產(chǎn)生皮秒量級的電脈沖而在太赫茲領(lǐng)域受到重視。伴隨著SiC單晶材料生長技術(shù)的日益成熟和其優(yōu)異的半導(dǎo)體性能,促進(jìn)了SiC光導(dǎo)開關(guān)的研究。本文研究了以4H-SiC為基體材料的平面型光導(dǎo)開關(guān)。
  簡要介紹了光導(dǎo)開關(guān)的研究背景、工作原理以及發(fā)展歷史。根據(jù)材料內(nèi)部載流子連續(xù)性方

2、程,理論模擬了SiC光導(dǎo)開關(guān)的輸出特性。基于測試電路的原理,利用相關(guān)軟件對測試電路進(jìn)行了仿真模擬,確定了電容等電路元件參數(shù),搭建了光導(dǎo)開關(guān)實驗測試平臺。
  重點研究了影響開關(guān)導(dǎo)通特性的因素。在開關(guān)的研制工藝方面,研究了離子注入工藝對開關(guān)導(dǎo)通性能的影響,結(jié)果表明,磷離子注入可以明顯減小開關(guān)的導(dǎo)通電阻,提高其導(dǎo)通性能。對于開關(guān)的外部工作條件,研究了觸發(fā)光脈沖特性對光導(dǎo)開關(guān)導(dǎo)通特性的影響,改進(jìn)了實驗系統(tǒng)中的光路,優(yōu)化了激光光斑尺寸和能

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論