2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、SiC材料與Si和GaAs材料相比，具有禁帶寬、臨界擊穿電場(chǎng)寬、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大等優(yōu)良特性，因此成為制作高溫、高頻、大功率器件的理想半導(dǎo)體材料。本文主要研究了SiC MOS的電學(xué)特性和主要工藝。介紹了MOSFET的理論基礎(chǔ)，研究了影響6H—SiC MOSFET溝道遷移率的各種散射機(jī)制，包括體晶格散射，表面粗糙度散射，表面聲子散射和界面態(tài)散射以及高場(chǎng)遷移率，根據(jù)半導(dǎo)體器件物理理論，推導(dǎo)和編程建立了一種遷移率解析模型，并討論了溫

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