Si-SiC異質(zhì)結(jié)制備工藝優(yōu)化及其特性分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了實現(xiàn)SiC材料在非紫外光控領(lǐng)域的應(yīng)用,拓展SiC大功率電力電子器件的非紫外光觸發(fā)。本課題提出了采用脈沖供源的方法在6H.SiC襯底上使用LPCVD系統(tǒng)淀積Si薄膜。并利用輪廓儀、SEM、XRD、Raman Spectra等現(xiàn)代分析測試方法對不同脈沖周期的制備的Si薄膜樣品進行表征,研究不同脈沖斷源時問對Si薄膜結(jié)晶品質(zhì)的影響。得到以下主要結(jié)果:
  1.相比連續(xù)供源法,脈沖供源法制備的Si薄膜生長速率有所降低,但表面形貌有所改

2、善,同時晶粒尺寸也有增大。
  2.XRD測試結(jié)果表明脈沖供源法可以控制薄膜生長的擇優(yōu)取向當脈沖斷源時間較小時,Si薄膜<220>擇優(yōu)生長,斷源時間進一步增加Si D JJ莫擇優(yōu)生長,斷源時時間繼續(xù)增加,薄膜喪失單一擇優(yōu)生長趨勢。
  3.Raman Spectra測試結(jié)果表明,采用脈沖法且供源時間為60S,斷源時間控制在30S,生長溫度900。C,Hx:SiH4=400:20sccm時生長Si薄膜的Raman半峰

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