Si-SiC異質(zhì)結(jié)歐姆電極制備及其特性分析.pdf

1、高質(zhì)量的歐姆電極是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量器件的基礎(chǔ)。本文主要研究p-Si/i-Si/n-SiC異質(zhì)結(jié)的電極特性，分別采用Ni和Al作為n型4H-SiC和p-Si的電極材料，研究了影響歐姆電極質(zhì)量的主要因素，得出了電極制作的優(yōu)化工藝。
　　1.優(yōu)化了SiC上Ni歐姆電極的制備工藝。通過對試驗(yàn)結(jié)果的分析，確認(rèn)了Ni歐姆電極的質(zhì)量主要與退火溫度和時間有關(guān)。I-V特性測試表明，經(jīng)過工藝優(yōu)化的Ni電極其電特性線性度很好，經(jīng)過1100℃，180s的快速退

2、火后，其比接觸電阻從7.5×10-4Ω·cm2降低到4.3×10-5Ω·cm2。從而使p-Si/i-Si/n-SiC異質(zhì)結(jié)的串聯(lián)電阻下降，實(shí)驗(yàn)樣品零偏壓下的光電流從0.77μA上升到了2.8μA。
　　2.經(jīng)過多次試驗(yàn)，確定了p-Si上Al歐姆電極的優(yōu)化制備工藝。經(jīng)過600℃，90S的退火后，Al電極線性度很好，比接觸電阻大大降低，最優(yōu)達(dá)到了4.8×10-5Ω·cm2。從而使p-Si/i-Si/n-SiC異質(zhì)結(jié)的串聯(lián)電阻進(jìn)一步下降