紫外生物芯片結構設計及制作方法研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文介紹了紫外生物芯片的工作原理和結構，從三個方面入手解決目前紫外生物芯片研制遇到的問題；分別是高性能I-PIN探測器的設計；紫外發(fā)光二極管外延層的設計、模擬和測試；PDMS微通道設計和制作工藝的研究。
　　為了得到較高的短波長響應的SI-PIN探測器就要制作淺結和耗盡層寬度較小的芯片本文通過理論推導并使用APSYS軟件進行模擬驗證。為了提高紫外LED的效率，本文的研究對象主要為在A1GaN量子阱能帶結構中是能擾動發(fā)揮的作用。通過

2、A1GaN中不均勻的橫向生長和有序的部分 A1GaN，其中與無序的A1GaN相比有序的能帶間隙更小。有源區(qū)的電子經過注入和空穴后能夠在特定的部位形成激子，由此一來，就能順利的避開在缺陷區(qū)電子和空穴發(fā)生的移動現象和非輻射復合現象。
　　本文還研究了使用再鑄模法進行了微流通道基片的制作，使用光刻制作刻蝕法制作出硅陰模，通過過兩次模塑成型過程制作了 PDMS基片。測試了基質與固化劑的比例基片為10比1蓋板為5比1。在汞燈的照射下經過3.

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