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文檔簡(jiǎn)介
1、本文介紹了紫外生物芯片的工作原理和結(jié)構(gòu),從三個(gè)方面入手解決目前紫外生物芯片研制遇到的問(wèn)題;分別是高性能I-PIN探測(cè)器的設(shè)計(jì);紫外發(fā)光二極管外延層的設(shè)計(jì)、模擬和測(cè)試;PDMS微通道設(shè)計(jì)和制作工藝的研究。
為了得到較高的短波長(zhǎng)響應(yīng)的SI-PIN探測(cè)器就要制作淺結(jié)和耗盡層寬度較小的芯片本文通過(guò)理論推導(dǎo)并使用APSYS軟件進(jìn)行模擬驗(yàn)證。為了提高紫外LED的效率,本文的研究對(duì)象主要為在A1GaN量子阱能帶結(jié)構(gòu)中是能擾動(dòng)發(fā)揮的作用。通過(guò)
2、A1GaN中不均勻的橫向生長(zhǎng)和有序的部分 A1GaN,其中與無(wú)序的A1GaN相比有序的能帶間隙更小。有源區(qū)的電子經(jīng)過(guò)注入和空穴后能夠在特定的部位形成激子,由此一來(lái),就能順利的避開(kāi)在缺陷區(qū)電子和空穴發(fā)生的移動(dòng)現(xiàn)象和非輻射復(fù)合現(xiàn)象。
本文還研究了使用再鑄模法進(jìn)行了微流通道基片的制作,使用光刻制作刻蝕法制作出硅陰模,通過(guò)過(guò)兩次模塑成型過(guò)程制作了 PDMS基片。測(cè)試了基質(zhì)與固化劑的比例基片為10比1蓋板為5比1。在汞燈的照射下經(jīng)過(guò)3.
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