氧化鎵納米材料的制備及結(jié)構(gòu)表征.pdf

1、伴隨社會的進(jìn)步和科技的發(fā)展，以半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)研究作為焦點(diǎn)的低維納米材料的研究變成了一個熱點(diǎn)問題,半導(dǎo)體材料受量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、量子隧道效應(yīng)、體積效應(yīng)等特性的影響，表現(xiàn)出奇特的介觀物理特性，通過各種納米材料的特殊性質(zhì),科學(xué)家們在各個領(lǐng)域取得了巨大的突破,它還可以促進(jìn)納米材料的應(yīng)用越來越廣泛,伴隨著納米材料技術(shù)的發(fā)展，納米材料對人們的影響也已經(jīng)涉及到方方面面，例如太陽能電池、透明導(dǎo)電電極、氣敏傳感器、晶體管等，目前，國內(nèi)外

2、對于納米材料的研究主要集中在兩個方面，一是如何運(yùn)用簡單而行之有效的方法制備低維納米材料，二是對低維納米材料的基本特性，包括表面結(jié)構(gòu)形貌、光學(xué)特性、輸運(yùn)特性等的測試表征。本文對Ga2O3粉末和Au覆蓋的Si(111)基片加熱不同時間,利用熱蒸發(fā)法，通過控制不同退火時間和退火溫度制備了不同的Ga2O3納米結(jié)構(gòu)，并用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、選區(qū)電子衍射（SAED）、X射線能譜儀（EDS）和X射線衍射(XRD)技術(shù)對

3、樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)、形貌的表征。主要內(nèi)容包括：
　?。?）用簡易的熱蒸發(fā)方法，將Ga2O3粉末與石墨粉充分混合作為原料，以Au為催化劑，高純N2為載氣，在1150℃溫度下生長不同的時間，生長30min時在Au覆蓋的Si(111)基片上得到了大量的直徑在100nm-500nm范圍的Ga2O3納米線，而當(dāng)原料加熱到60min、90min、120min時，出現(xiàn)大量 Ga2O3納米棒結(jié)構(gòu)，說明生長時間對樣品的形態(tài)結(jié)構(gòu)有一定的影響。TEM圖像、

4、XRD測試結(jié)果以及拉曼光譜顯示樣品為氧化鎵。
　?。?）將Ga2O3粉末與石墨粉充分混合作為原料，以Au為催化劑，高純N2為載氣，用熱蒸發(fā)法在1200℃生長不同時間制備了大量規(guī)律生長的Ga2O3納米線結(jié)構(gòu)，在這一溫度下我們發(fā)現(xiàn)了一個核殼生長繼而脫落的有趣現(xiàn)象。SEM顯示,在整個樣品表面形成大量直徑約200-300 nm的蒲公英狀納米線。能量色散譜(EDS)和拉曼光譜都顯示，樣品為純凈的Ga2O3。最后,簡要討論了這種奇特納米結(jié)構(gòu)的