基于石墨烯-硅肖特基結(jié)的光電探測(cè)器的研制.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩77頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、本文主要采用石墨烯(Gr)獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)來制備和表征石墨烯/硅(Gr/Si)的光電探測(cè)器。并在此基礎(chǔ)提出并深入探討了提高背對(duì)背肖特基結(jié)的金屬-半導(dǎo)體-金屬器件性能的方法。主要的研究結(jié)果如下：
　　(1)從Gr與硅肖特基結(jié)形成機(jī)理著手，制備了Gr/Si基紫外光電探測(cè)器，并研究了該肖特基結(jié)的特性。采用電流-電壓特性表征其整流特性，并從該電流-電壓特性中利用熱電發(fā)射理論提取該二極管參數(shù)，其中，理想因子為1.203，勢(shì)壘高度約為0.86 eV

2、,串聯(lián)電阻約11kΩ。在入射波長(zhǎng)405 nm，功率密度為0.1 mW/cm2的測(cè)試條件下，我們得到了該肖特基結(jié)的最大光學(xué)響應(yīng)為0.17 A/W。
　　(2)在Gr/Si單個(gè)肖特基結(jié)的基礎(chǔ)上，我們制備了兩個(gè)背對(duì)背的Gr/Si的肖特基結(jié)的MSM器件。在此基礎(chǔ)上提出了以下工藝方法降低暗電流:1.通過將硅表面鈍化抑制Gr與硅間的漏電流;2.通過改變硅窗口的形狀使得石墨烯完全覆蓋硅窗口;3.通過制備氟化石墨烯與石墨烯的平面叉指結(jié)構(gòu)的MSM器

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論