LED驅(qū)動芯片中集成自舉控制電路的設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著大功率LED在燈光裝飾、照明和顯示器等領(lǐng)域中的普遍應用，LED驅(qū)動技術(shù)也得到了快速的發(fā)展。為實現(xiàn)更高效的大功率LED照明，半橋驅(qū)動電路逐漸成為大功率LED驅(qū)動電路的熱點拓撲結(jié)構(gòu)，其中自舉電路為半橋驅(qū)動電路提供高側(cè)浮動電源，而集成自舉電路由控制電路和N型橫向雙擴散金屬氧化物晶體管(Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor, LDMOS)器件構(gòu)成，其相對于片外自舉電路具有明顯的優(yōu)勢，得到了越

2、來越廣泛的研究。
　　本文首先分析了傳統(tǒng)動態(tài)背柵偏置的集成自舉控制電路的原理和性能，由于LED驅(qū)動電路的啟動頻率可達500kHz以上，在此頻率下，驅(qū)動芯片的高側(cè)電路易發(fā)生欠壓鎖定現(xiàn)象。本文重點設計了柵極驅(qū)動電路的輸入波形，再次利用了死區(qū)時間，從而增加了給自舉電容每周期內(nèi)的充電時間，避免了上電啟動階段高側(cè)電路出現(xiàn)欠壓鎖定現(xiàn)象;其次，本文還通過提高LDMOS的柵壓，降低了LDMOS的導通電阻，提升了充電電流和充電速度，最終提升了整體電

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