
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文檔簡介
1、納米與分子電子器件越來越受到人們的關(guān)注,許多低維納米材料可以表現(xiàn)出一些微型電子器件的功能特性,比如碳納米管、富勒烯、石墨烯、單分子磁體等。有些器件具有負(fù)微分電阻(NDR)效應(yīng),一些具有磁性的材料構(gòu)成的器件能夠產(chǎn)生自旋過濾(SFE)效應(yīng),當(dāng)然還有最為常見的整流效應(yīng)、以及開關(guān)效應(yīng)等。本文中,我們利用基于第一性原理密度泛函理論(DFT)與非平衡格林函數(shù)(NEGF)相結(jié)合的計(jì)算方法,主要研究了低維碳基材料富勒烯、石墨烯這兩種材料的電子及自旋極化
2、輸運(yùn)性質(zhì)。本論文主要包括以下幾個部分:
在第一章中,我們分別介紹了分子電子學(xué)和自旋電子學(xué)的研究背景,并對其產(chǎn)生以及近幾年來的發(fā)展歷程作了簡單回顧。然后介紹了石墨烯和富勒烯的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。最后我們對本論文所研究的主要的內(nèi)容作了簡單總結(jié)。
在第二章中,我們針對本論文中所采用的理論計(jì)算方法作了詳細(xì)介紹。首先介紹了我們做理論計(jì)算時最常用的密度泛函理論方法,然后簡要介紹了計(jì)算電子輸運(yùn)問題時采用的非平衡格林函數(shù)(NEGF)方法,最
3、后詳細(xì)介紹了我們所采用的基于密度泛函理論與非平衡格林函數(shù)相結(jié)合來處理分子器件電子輸運(yùn)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算的方法以及計(jì)算原子尺度電子輸運(yùn)問題時的基本物理公式,即Landauer-Büttiker公式。
在第三章中,我們采用第一性原理方法對BDC60分子的電子輸運(yùn)方面的性質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)研究。計(jì)算了BDC60分子的電流-電壓關(guān)系,分別討論了不同大小的門電壓對BDC60分子輸運(yùn)性質(zhì)的影響。發(fā)現(xiàn)當(dāng)加上門電壓以后,BDC60分子可以產(chǎn)生整流
4、特性,而在不加門電壓的情況下體系沒有整流效應(yīng)出現(xiàn)。當(dāng)加上不同大小的門電壓時,體系的整流性能也不同。其原因是門電壓可以通過調(diào)控分子能級來改變分子器件的電子輸運(yùn)性質(zhì)。
在第四章中,我們運(yùn)用第一性原理方法探究了富勒烯二聚體分子Fe@C60的自旋極化輸運(yùn)性質(zhì)。通過詳細(xì)的計(jì)算,我們發(fā)現(xiàn),當(dāng)該結(jié)構(gòu)從P自旋狀態(tài)向AP自旋狀態(tài)轉(zhuǎn)化時,在較低偏壓下表現(xiàn)出明顯的磁致電阻效應(yīng)。其原因是由于自旋反對稱,F(xiàn)e@C60籠子左半部分的PDOS峰與右半部分的
5、PDOS峰在零偏壓下不再重合,使得P自旋狀態(tài)的電流遠(yuǎn)大于AP自旋狀態(tài)的電流,產(chǎn)生較大的磁致電阻率。還可以觀察到自旋過濾效應(yīng),并且P自旋狀態(tài)時,自旋過濾效率達(dá)到了90%多。其原因是當(dāng)施加外部偏壓時,由于自旋向上和自旋向下的PDOS強(qiáng)度不同而引起自旋向上和自旋向下的電流大小不同,從而產(chǎn)生自旋過濾。隨著偏壓進(jìn)一步增加,會出現(xiàn)負(fù)磁致電阻以及負(fù)自旋過濾現(xiàn)象。此外,該體系還具有負(fù)微分電阻效應(yīng),這是由體系中自旋向上的電流產(chǎn)生的。
在第五章中
6、,我們通過第一性原理方法深入探究了單分子磁體Mn(dmit)2連接在石墨烯電極上時體系的自旋極化輸運(yùn)性質(zhì)。主要討論了單磁體分子Mn(dmit)2兩端的dmit配體在共面和垂直兩種情況下時體系的電子性質(zhì)以及自旋輸運(yùn)方面的特性。通過計(jì)算分析,發(fā)現(xiàn)當(dāng)單磁體分子Mn(dmit)2兩端的dmit配體處于共面構(gòu)型時,通過其的電流表現(xiàn)出明顯的自旋過濾效應(yīng),自旋過濾效率達(dá)到100%。而對于其垂直構(gòu)型,通過其的電流幾乎處于截止,導(dǎo)致電路處于不導(dǎo)通狀態(tài)。這
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