應用于鎖相環(huán)中的壓控振蕩器的設計與研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、論文根據(jù)壓控振蕩器的基本原理對振蕩器的相位噪聲做了詳細分析,從而提出了降低壓控振蕩器的相位噪聲的一些方法,并在壓控振蕩器的設計中得到了應用。在1μm GaAs HBT工藝下,設計并實現(xiàn)了一種用于鎖相環(huán)(PLL)頻率合成器中的低相位噪聲LC壓控振蕩器。該壓控振蕩器采用共射極組態(tài)和π型反饋拓撲結構,利用大濾波電容來降低相位噪聲。采用1μm GaAs HBT工藝完成前仿真、版圖設計與后仿真,芯片面積為0.7mm×0.7mm。芯片測試結果顯示,

2、LC壓控振蕩器的頻率調(diào)諧范圍23.57GHz到23.85GHz,中心頻率處的相位噪聲為-93.76dBc/Hz@1MHz,最大輸出功率為-1.49dBm,靜態(tài)功耗為104mW。
　　論文闡述了鎖相環(huán)的工作原理并確定了鎖相環(huán)的電路結構。鎖相環(huán)由模擬鑒相器、環(huán)路濾波器,壓控振蕩器和動態(tài)分頻器組成。仿真結果顯示:參考頻率源設置在9.45GHz到9.52GHz范圍內(nèi)才能鎖定,鎖定時間大致為100ns左右。環(huán)路帶寬和相位裕度分別為400MH

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