應(yīng)用于IMT-Advanced和UWB系統(tǒng)的雙頻帶壓控振蕩器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著無線通信的發(fā)展，對單片集成的多標(biāo)準(zhǔn)和多頻段的收發(fā)機(jī)芯片的需求在不斷地增長。相比于第三代移動(dòng)通信(The Third Generation Mobile Communication，3G)和無線局域網(wǎng)(Wireless Local Area Network，WLAN)，第四代移動(dòng)通信技術(shù)(International Mobile Communications-Advanced， IMT-Advanced)可以提供更高的移動(dòng)通信數(shù)據(jù)傳輸

2、速率，而超寬帶技術(shù)(Ultra-wideband，UWB)可以在無線局域通信中提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，并具有低成本和低功耗的優(yōu)點(diǎn)。因此，IMT-Advanced和UWB技術(shù)的集成是未來移動(dòng)通信終端的可能發(fā)展趨勢之一。
　　 本文主要闡述了應(yīng)用于IMT-Advanced和UWB系統(tǒng)的雙頻帶CMOS電感電容壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)過程。
　　 基于TSMC0.13μm CMOS工藝，雙頻帶電感電容壓控振蕩器的設(shè)計(jì)采用了開關(guān)電流

3、源、開關(guān)交叉耦合對和噪聲濾波等技術(shù)，以優(yōu)化電路的相位噪聲等性能。后仿真結(jié)果表明，在1.2V電源電壓下，兩個(gè)頻段的消耗電流分別為3mA和4.5mA。壓控振蕩器的調(diào)諧范圍為3.86～5.28GHz和3.14～3.88GHz，在振蕩頻率4.8GHz和3.6GHz上，1MHz頻偏處的相位噪聲分別為-117dBc/Hz與-120dBc/Hz。
　　 本文還采用SMIC0.13μmCMOS工藝設(shè)計(jì)了一種正交壓控振蕩器。設(shè)計(jì)采用MOS管串聯(lián)耦

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