應(yīng)用于3G的射頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計(jì).pdf

1、近幾年來,無線通信系統(tǒng)和CMOS工藝技術(shù)的蓬勃發(fā)展推動(dòng)了低成本、低功耗CMOS無線收發(fā)機(jī)的研究和開發(fā),使得全集成的無線收發(fā)機(jī)系統(tǒng)芯片的實(shí)現(xiàn)成為一種可能,現(xiàn)如今收發(fā)系統(tǒng)中的大多數(shù)模塊,如低噪聲放大器(LNA)、混頻器(Mixer)、中頻濾波器(IF Filter)、功率放大器(PA)以及壓控振蕩器(VCO)等都可以采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)單片集成。本論文分析并設(shè)計(jì)了應(yīng)用于第三代移動(dòng)通信的壓控振蕩器(VCO)單元模塊。首先,論文基于對(duì)電感電容壓

2、控振蕩器的工作原理、數(shù)學(xué)模型的分析,提出了窄頻帶,正交輸出的互補(bǔ)型交叉耦合電感電容壓控振蕩器的實(shí)現(xiàn)方案。其次,論文對(duì)片上螺旋電感的結(jié)構(gòu)和等效模型以及片上可變電容的實(shí)現(xiàn)方式做了分析,在電路設(shè)計(jì)中采用了具有高品質(zhì)因數(shù)的變壓器耦合方式的片上螺旋電感和大電容系數(shù)比的累積型NMOS可變電容。然后,對(duì)壓控振蕩器的重要性能參數(shù)-相位噪聲進(jìn)行了深入的研究,并結(jié)合相位噪聲理論,對(duì)振蕩器的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行了必要的改進(jìn),以達(dá)到降低相位噪聲的目的。最后,經(jīng)過對(duì)壓控