射頻模塊成型缺陷與工藝參數(shù)的關(guān)系研究.pdf

1、與傳統(tǒng)的封裝工藝技術(shù)相比，低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù)因其具有優(yōu)良的高頻特性、小線寬和低阻抗而倍受矚目，但其工藝過程復(fù)雜，容易造成缺陷。造成缺陷的影響因素很多，研究主要影響因素與缺陷的關(guān)系是準(zhǔn)確控制工藝參數(shù)的基礎(chǔ)，也是制造出高質(zhì)量產(chǎn)品的重要前提。本文針對某種射頻模塊，運(yùn)用理論分析與仿真實(shí)驗相結(jié)合的方法對 LTCC技術(shù)成型過程中的缺陷進(jìn)行分析，建立成型缺陷主要影響因素與缺陷評價指標(biāo)之間的關(guān)系模型，為工藝參數(shù)的優(yōu)化打下基礎(chǔ)，提高射頻模塊的成

2、型質(zhì)量。為此本文從以下幾個方面進(jìn)行了研究：
　　（1）成型缺陷的仿真分析。根據(jù)試制樣件中存在的缺陷問題，檢測出四種主要成型缺陷：微通道變形、基板翹曲、層間垂直互聯(lián)錯位、共晶焊接空洞，通過理論分析，研究缺陷的形成機(jī)制。根據(jù)成型缺陷的形成環(huán)境，利用 ANSYS Workbench軟件完成對四種成型缺陷的有限元仿真分析。
　?。?）成型缺陷影響因素分析。根據(jù)缺陷對樣件成型質(zhì)量和功能特性的影響程度，提取缺陷的尺寸特征、紋理特征、形狀

3、特征等，確定缺陷的目標(biāo)函數(shù)。利用正交試驗方法，完成多組工藝條件下的缺陷仿真分析，從各影響因素中提取成型缺陷的主要影響因素。
　?。?）成型缺陷與工藝參數(shù)關(guān)系模型的建立。在識別出成型缺陷主要影響因素的基礎(chǔ)上，進(jìn)行多水平主要影響因素的正交試驗，而其它次要影響因素選取對成型質(zhì)量有利的值，基于響應(yīng)面法以及麥夸特法，建立起成型缺陷目標(biāo)函數(shù)與主要影響因素之間的關(guān)系模型。
　?。?）關(guān)系模型準(zhǔn)確性的實(shí)驗驗證。為確保建模方法和仿真結(jié)果的正確