硅納米線的濕法刻蝕及其光學性質的研究.pdf

1、硅是一種重要的半導體材料，而且是微電子器件中應用最為廣泛的材料，因此被譽為人類二十世紀最偉大的成就之一。由于單晶硅為間接帶隙材料，其禁帶寬度為1.12eV，只能發(fā)出微弱的紅光，且發(fā)光效率較低，很難實現(xiàn)室溫下的光致發(fā)光，很難制成光學器件，限制了其在光探測、光傳感等方面的應用。由于半導體納米線是一維材料具有量子尺寸效應，并且有電、光、機械、化學等特性及其獨特的形貌大的比表面積，而成為未來納米科技的發(fā)展核心。現(xiàn)階段科技研究的兩個熱點分別是碳納

2、米管和硅納米線。硅納米線作為一維半導體材料，具有直接帶隙，懸掛鍵密集地分布在其表面，使大量的氣體分子和生物分子能夠被吸附在其表面，同時在量子限制效應的影響下，可以發(fā)射可見光，使得其在光探測、光傳感等方面具有很大的應用價值。
　　本文采用不同的濕法刻蝕硅襯底過程制備硅納米線。通過掃描電鏡、光致發(fā)光等測試手段對樣品的形貌、光學性質進行表征。研究硝酸銀濃度、時間、襯底種類對硅納米線孔隙率的影響，獲得刻蝕最優(yōu)條件，進一步使用PS球模板法獲