碳納米管生長機理及碳納米線圈光電特性研究.pdf

1、碳納米管是由石墨層卷曲而成的中空納米管，隨著直徑的不同，碳納米管可表現(xiàn)出金屬性，半金屬性和半導體性，這種性質(zhì)使得了碳納米管在半導體等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。目前，化學氣相沉積法是可控生長碳納米管的主要方法，由于其反應(yīng)中包含復雜的氣相反應(yīng)和固相反應(yīng)，所以化學氣相沉積法生長碳納米管的機理及參數(shù)最優(yōu)化一直是人們研究的熱點。在這方面，研究人員做許多了實驗和模擬工作。但是，人們更多關(guān)注碳納米管生長過程中的固相反應(yīng)，而對化學氣相沉積過程中的氣相反應(yīng)研究較

2、少。
　　本論文的第二章中建立了局部加熱化學氣相沉積系統(tǒng)并定性地研究了乙炔氣相反應(yīng)對碳納米管生長的影響。在此基礎(chǔ)上，本章還建立了碳納米管生長的計算流體力學模型，并分析了生長條件，催化劑顆粒及乙炔氣相產(chǎn)物對碳納米管生長的影響。
　　由于碳納米線圈具有納米尺度上的特殊形態(tài)，使其在納米電子學，微納機電系統(tǒng)中具有潛在應(yīng)用。目前對碳納米線圈的研究尚處于起步階段，主要集中于碳納米線圈的電學特性，力學特性以及磁學特性，但是并不系統(tǒng)完善。本

3、論文從實驗上研究了碳納米線圈的導熱特性，光學特性，并進一步研究了碳納米線圈的電學特性與其結(jié)構(gòu)上的關(guān)系。
　　論文第三章研究了場發(fā)射對碳納米線圈結(jié)構(gòu)的影響。由于焦耳熱的作用，場發(fā)射之后的碳納米線圈中的sp2晶粒尺寸有所增大且晶粒取向趨于一致。此外，本章還研究了激光處理后碳納米線圈的場發(fā)射特性。激光處理導致的碳納米線圈尖端曲率半徑減小和碳納米線圈表面非晶碳的去除提高了其場發(fā)射特性。
　　論文第四章通過單根碳納米線圈場發(fā)射所引起的

4、熱輻射光譜研究了單根碳納米線圈上的熱傳導。并且，通過制作懸空單根碳納米線圈器件初步分析了碳納米線圈的電阻率和溫度的關(guān)系。在一維熱傳導模型的基礎(chǔ)上，計算得到的碳納米線圈熱導率為38W/m·K。
　　論文第五章研究了懸空單根碳納米線圈的電驅(qū)動熱輻射光譜。懸空單根碳納米線圈的黑體輻射光譜上疊加有發(fā)射峰。發(fā)射峰的出現(xiàn)是由于熱激勵高能電子向低能級躍遷所致。因此，在碳納米線圈的費米能級附近至少存在四對能級。通過測量碳納米線圈的光致發(fā)光譜，發(fā)現(xiàn)

5、光致發(fā)光譜具有和電致發(fā)光譜類似的發(fā)射峰，這一結(jié)果也支持了文中對碳納米線圈能帶結(jié)構(gòu)的推論。
　　論文第六章研究了單根碳納米線圈的紅外響應(yīng)特性。當激光功率為90 mW時，碳納米線圈電導變化率最大可達22％。碳納米線圈器件的響應(yīng)時間為5 ms左右。進一步的實驗表明碳納米線圈光響應(yīng)的機理主要為熱效應(yīng)。隨著電壓增加，由于焦耳熱的作用激光照射引起的碳納米線圈電導變化率下降，但是響應(yīng)率卻隨之增加，最大的響應(yīng)率為0.22 A/W。
　　論文

6、第七章利用四探針法研究了碳納米線圈電學特性和其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的關(guān)系。相比于未經(jīng)退火的碳納米線圈，經(jīng)過高溫退火后，碳納米線圈的導電特性有明顯的改善。但是，當退火溫度高于1273 K時，結(jié)構(gòu)變化對碳納米線圈的室溫電阻率變化影響較小。此外，本章還研究了各個退火溫度下碳納米線圈電阻隨溫度的變化并計算了碳納米線圈的激活能，發(fā)現(xiàn)激活能隨碳納米線圈內(nèi)晶粒的長大和晶粒間非晶成分的減少而快速降低。此外，在碳納米線圈發(fā)生小形變的情況下，碳納米線圈的電阻基本不發(fā)生