GaN納米線和SnO2包覆多層碳納米管陣列的制備及其光電特性研究.pdf

1、紫外光探測(cè)和能量存儲(chǔ)一直是光、電領(lǐng)域的重點(diǎn)研究課題,本文以 GaN和SnO2為出發(fā)點(diǎn),分別進(jìn)行了這兩種材料一維納米結(jié)構(gòu)的制備、結(jié)構(gòu)形貌分析、光電特性研究等的工作。本文主要結(jié)果如下:
　　1、采用化學(xué)氣相沉積法在鍍Au的p-n GaN薄膜上制備了斜生長(zhǎng)的GaN納米線,分析了其生長(zhǎng)機(jī)理,并研究了反應(yīng)過(guò)程中壓強(qiáng)、襯底距源的位置對(duì)產(chǎn)物形貌的影響。
　　2、對(duì)GaN納米線/GaN薄膜進(jìn)行了紫外探測(cè)性能研究,在零偏壓下,對(duì)365 nm紫

2、外光有著非常強(qiáng)的光電相應(yīng),開(kāi)關(guān)比達(dá)到1800倍,比沒(méi)有生長(zhǎng)GaN納米線的GaN薄膜高出20倍。并分析了紫外探測(cè)的響應(yīng)機(jī)制。
　　3、采用化學(xué)氣相法首次合成SnO2包覆定向MWCNTs的復(fù)合材料,通過(guò)X射線衍射(XRD),場(chǎng)發(fā)射掃描顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)等對(duì)復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了研究,所得樣品非常整齊的垂直于襯底向上,非常均勻,直徑為100～200 nm。每根碳管都包覆的比較一致。
　　4、通過(guò)循環(huán)伏安