2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
已閱讀1頁，還剩56頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、本論文主要研究內(nèi)容為以Zn0薄膜為有源層,Mg0為絕緣層的薄膜晶體管(ZnO-TFT),研究了不同工藝參數(shù)對晶體管電學(xué)性能的影響。
　　首先,采用射頻磁控濺射工藝在ITO玻璃襯底上濺射Mg薄膜后退火氧化得到Mg0薄膜。利用不同的工藝參數(shù),通過對其表面形貌、絕緣性能和透光率的測試,得出了Mg0薄膜最佳工藝參數(shù)。通過研究發(fā)現(xiàn),在濺射功率為200W,濺射氣壓為3Pa時,制備的 Mg0薄膜質(zhì)量最佳。
　　其次,利用射頻磁控濺射在已制

2、備好的Mg0薄膜上制備Zn0薄膜,研究不同制備參數(shù)(濺射功率、濺射氣壓、氬氧比、襯底溫度)對薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能的影響規(guī)律。結(jié)果表明:各種濺射工藝條件下制備的Zn0薄膜都沿(002)方向擇優(yōu)生長,對可見光的透過率均大于80％,光學(xué)禁帶寬度在3.30eV附近。
　　最后,在Zn0薄膜上通過掩膜蒸發(fā)法制備Al電極,形成ITO/ MgO/ZnO/AI底柵頂接觸型ZnO-TFT,并對不同制備參數(shù)下制備的器件的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論