溶膠凝膠法制備Zn基透明導(dǎo)電薄膜的光電性能的研究.pdf

1、摘要氧化鋅(znO)作為直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料中的一種，有著337eV的禁帶寬度，高達(dá)60meV的激子束縛能。由于氧化鋅薄膜(znO)本身的特性所致良好的c軸(caxis)取向、較高的電阻率，使其擁有了良好的光電特性。使氧化鋅薄膜適用于氣體檢測、液晶成像、紫外發(fā)光、攝像技術(shù)等領(lǐng)域。本征的氧化鋅是n型半導(dǎo)體，P型氧化鋅的制備研究已成為當(dāng)今熱點(diǎn)與難點(diǎn)。本文利用簡單溶膠凝膠法(S01Gel)旋涂技術(shù)在石英襯底上制備氧化鋅基透明導(dǎo)電薄膜。由于

2、純氧化鋅薄膜性能不夠理想，所以通過對(duì)氧化鋅薄膜進(jìn)行Mg摻雜。Mg摻雜能夠提高氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜的工作波長。通過多組對(duì)比實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)以及對(duì)工藝的摸索，得到當(dāng)Mg摻雜濃度為20at％EtJ“，薄膜在可見光范圍內(nèi)的平均透光率為90％以上，并且增加了薄膜在紫外區(qū)域的透光率。對(duì)薄膜進(jìn)行了UVVis、XRD、SEM、PL、霍爾測試表明薄膜在近紫外光到可見光范圍內(nèi)的透光率為90％，薄膜有著良好的c軸取向，并且薄膜保持著六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)。隨著退火溫度的升高薄