AAO納米光柵結(jié)構(gòu)參數(shù)對薄膜硅太陽能電池光吸收的影響研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文以AAO納米結(jié)構(gòu)分別作為表面減反光柵和背反射光柵設(shè)計(jì)了一種新型的薄膜硅太陽能電池。理論分析設(shè)計(jì)了AAO納米光柵結(jié)構(gòu)參數(shù)。采用TracePro光線跟蹤軟件研究了不同占空比和光柵常數(shù)對薄膜硅光吸收的影響，得到了最佳的結(jié)構(gòu)參數(shù)。理論分析結(jié)果表明，入射波長取AM1.5中數(shù)值最大的點(diǎn)對應(yīng)的波長為532nm，表面減反光柵的光柵深度h表=75nm，最佳占空比f表=0.5，光柵常數(shù)應(yīng)在152nm到532nm之間。背部反射光柵的最佳深度h背=78.6

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