P型GaN基材料電學(xué)性能的研究.pdf

1、近年來，以Ⅲ族氮化物為代表的第三代半導(dǎo)體材料得到了非常迅速的發(fā)展，但仍然面臨諸多問題，特別對于p型GaN基材料而言，如何得到理想的電學(xué)性能一直是一個難題。
　　本文使用金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MOCVD)在不同極性面的藍寶石襯底上生長了極性、半極性、非極性Mg摻雜的GaN和AlGaN材料，分析了其表面形貌、晶體質(zhì)量等特性，優(yōu)化了生長條件及退火條件，改善了材料的電學(xué)性能。
　　本文主要的研究內(nèi)容和成果如下:
　　

2、(1)在c面藍寶石襯底上制備了Mg均勻摻雜和delta摻雜的GaN材料，經(jīng)過對比，發(fā)現(xiàn)使用delta摻雜的GaN材料，電學(xué)性能明顯提高。這是因為delta摻雜能夠阻斷底層位錯向上延伸，從而提高了材料的晶體質(zhì)量;對delta摻雜的p-GaN材料，在不同的溫度下熱退火，得到在770℃時，p-GaN材料具有最佳的電學(xué)性能，此時的空穴濃度、遷移率和電阻率分別為1.09×1018cm-3、2.83cm2/V·s和1.89Ω·cm。
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3、)在c面藍寶石襯底上生長了p-AlGaN材料并研究了其最佳退火條件。首先比較了插入不同緩沖層對外延材料表面形貌、晶體質(zhì)量、電學(xué)性能的影響。實驗證明，當(dāng)插入未摻雜的GaN薄膜作為緩沖層時，表面形貌較好，同時電學(xué)性能也有顯著的提高，說明適當(dāng)?shù)木彌_層可以極大地提高材料的晶體質(zhì)量，從而減少補償受主，提高p型層的空穴濃度。其次，本文又對delta摻雜周期進行了優(yōu)化，在一個delta摻雜周期內(nèi)，保持摻雜時間不變，改變AlGaN材料的生長厚度，當(dāng)厚度

4、為10nm時，p-AlGaN材料的電學(xué)性能最佳。而在對退火溫度、時間、氛圍、升溫速率和氣體流量分別優(yōu)化后，得到在退火溫度為750℃，退火時間為8min，退火氛圍為氧氣，升溫速率為50℃/s，氣體流量為800sccm時，p-AlGaN材料的電學(xué)性能最好，此時的電阻率為1.2Ω·cm。
　　(3)本文還初步研究了非極性、半極性p-GaN基材料的生長和摻雜。首先采用氨氣脈沖法生長的AlN作為緩沖層，在m面藍寶石襯底上生長了不同Al組分的

5、Mg摻雜半極性AlGaN材料，透射譜曲線表明高Al組分的AlGaN材料的內(nèi)部晶體質(zhì)量較好，這是因為我們采用氨氣脈沖法生長的AlN作為緩沖層，高Al組分的AlGaN外延層與緩沖層的晶格失配更小，有利于材料的外延生長。其次，通過比較Mg摻雜濃度分別為0、125、175和200sccm的半極性AlGaN材料的SEM圖和XRD搖擺曲線掃描結(jié)果發(fā)現(xiàn)，摻雜濃度越高，表面形貌越粗糙，XRD搖擺曲線的半高寬(FWHM)越大，晶體質(zhì)量越差。最后，在r面藍