Al-CuO復合半導體橋設計及發(fā)火性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為提高半導體橋的輸出能量，本文通過理論分析選用Al/CuO作為含能材料，設計制作了兩種橋型的Al/CuO復合半導體橋。在不同激勵條件下對Al/CuO復合半導體橋進行電爆性能實驗、高速攝影實驗、測溫實驗和安全性實驗，研究了Al/CuO薄膜對復合半導體橋電爆性能的影響規(guī)律，驗證了Al/CuO薄膜用于提高半導體橋輸出能量的可行性和有效性。主要得出以下結論:
　　(1)Al/CuO薄膜對多晶硅起爆過程沒有影響，Al/CuO復合半導體橋電爆

2、性能隨激勵條件改變的變化規(guī)律與多晶硅半導體橋一致。Al/CuO膜的導熱系數較大，增大了熱消散能量，導致Al/CuO復合半導體橋爆發(fā)時間增長，爆發(fā)消耗能量增大。
　　(2)在電容47μF，充電電壓為30V、40V、50V條件下，Al/CuO復合尖角半導體橋爆發(fā)產物的空間尺寸和持續(xù)時間大于多晶硅半導體橋，輸出能量顯著提高。
　　(3)在高能量激勵條件下，兩種橋型的Al/CuO復合半導體橋爆發(fā)產物的溫度明顯高于多晶硅半導體橋，隨著

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