Al-CuO多層含能橋膜的制備與電爆特性研究.pdf

1、本文采用磁控濺射法制備了三種結(jié)構(gòu)的Al-CuO復(fù)合薄膜，分別為CuO-Al兩層膜、CuO-Al-CuO三層膜、CuO-Al-CuO-Al四層膜。分別進行結(jié)構(gòu)表征、元素分析和熱分析，并分別測試三種復(fù)合薄膜的電爆特性。
　　 掃描電子顯微鏡(SEM)對多層薄膜表面及斷面進行形貌的觀察表明薄膜表面顆粒直徑隨著薄膜層數(shù)的增加逐漸增大，Al膜晶粒呈放射狀向外生長，CuO膜晶粒以層狀模式生長，膜層厚度增長均勻，多層膜有明顯層間結(jié)構(gòu)；原子力顯

2、微鏡(AFM)對薄膜表面粗糙度分析表明薄膜表面平整、粗糙度不超過1nm；電子能譜(EDS)分析表明多層薄膜成分純凈，雜質(zhì)只有空氣中吸附的C元素，薄膜純度超過90％；X射線衍射(XRD)對CuO-Al二層復(fù)合膜分析表明CuO膜會使Al膜的X衍射角(2θ)發(fā)生2.5°的偏移；差式掃描量熱法-熱重法(DSC-TG)聯(lián)用熱分析表明多層薄膜在500℃到750℃有兩個反應(yīng)引起的放熱峰。
　　 對三種復(fù)合薄膜的電爆試驗，分析伏安特性曲線和溫度