工業(yè)制備SiO2-SiNx雙層減反膜及對(duì)其膜層結(jié)構(gòu)的研究.pdf

1、晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)企業(yè)多使用的減反射技術(shù)為PECVD法沉積氮化硅減反射膜。并已在單層氮化硅膜的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化為多層氮化硅減反射膜技術(shù)，使這項(xiàng)技術(shù)不斷成熟。多層氮化硅減反射膜技術(shù)雖然有著很好的減反能力，但其較弱的鈍化能力一直阻礙著轉(zhuǎn)化效率不能進(jìn)一步提升。然而，在SiNx膜和Si片之間制備一層較薄的SiO2膜，形成SiO2-SiNx雙層膜的技術(shù)不僅可以有效的改進(jìn)其鈍化效果，而且減反射能力依然可觀。目前行業(yè)內(nèi)對(duì)SiO2-SiNx雙層膜技術(shù)

2、的研發(fā)熱度不斷升高，部分企業(yè)也開(kāi)始嘗試將這種減反技術(shù)運(yùn)用于大規(guī)模量產(chǎn)。
　　本文重點(diǎn)研究SiO2-SiNx雙層減反射膜各層膜的膜厚分配對(duì)減反、鈍化能力以及電池效率的影響，并從中探索出最優(yōu)的層厚結(jié)構(gòu)。全文實(shí)驗(yàn)分為兩部分進(jìn)行，首先是一系列常規(guī)的準(zhǔn)備性實(shí)驗(yàn)，分別討論了制膜時(shí)反映氣體流量比對(duì)單層SiNx膜和單層SiO2膜質(zhì)量的影響，確定了當(dāng)NH3/SiH4氣體流量比7∶1時(shí)制得的SiNx膜和N2O/SiH4流量比為16∶1時(shí)制得的SiO2

3、膜綜合質(zhì)量最佳，適合用于制備SiO2-SiNx雙層膜。最后測(cè)試了在這兩組特定的氣體流量比下，薄膜的沉積時(shí)間對(duì)膜厚的影響。第二部分的實(shí)驗(yàn)是對(duì)產(chǎn)線PECVD技術(shù)的優(yōu)化改進(jìn)，探索了最優(yōu)轉(zhuǎn)換效率下SiO2-SiNx雙層減反射膜各層膜的膜厚分配。經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明，SiO2-SiNx雙層減反射膜在減反射能力上略遜于雙層SiNx減反射膜，但鈍化能力非常優(yōu)秀。且當(dāng)SiNx層為70nm，SiO2層為15nm時(shí)，電池的光電轉(zhuǎn)化效率最高，可達(dá)16.7％。比現(xiàn)有使用