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文檔簡介
1、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術最早是應半導體工業(yè)發(fā)展需要而出現的,目前廣泛的用于微電子行業(yè)。PECVD技術又以其良好的均勻性和階梯覆蓋性、沉積薄膜致密、膜層與基體的結合力高、沉積速度快等特點,應用在二元光學、漸變折射率光學薄膜以及抗激光損傷薄膜等方面。但是,在PECVD方法沉積薄膜的同時也會產生大量的微粒和雜質,相對于光學薄膜來說,如何掌握薄膜折射率和準確的控制沉積速率,成為這種沉積方法的關鍵和難點。本文主要探討利用PECV
2、D技術制備光學減反膜的有效途徑。探索了PECVD技術以硅片和K9為基底沉積光學薄膜的工藝過程控制;分析研究了不同工藝參數對薄膜光學特性的影響;設計并試制了光學減反膜樣片,進行了誤差分析與評價。通過控制薄膜沉積工藝參數,可使薄膜的光學常數發(fā)生變化,當控制薄膜材料的消光系數k<10-4,滿足光學薄膜的使用要求情況下,可獲得以下結論:
⑴SiO2薄膜材料折射率變化范圍為1.47~1.54,SiNx薄膜材料折射率變化范圍為1.85
3、~1.93,SiOxNy薄膜材料折射率變化范圍為:1.57~1.76;
⑵通過改變SiH4流速可以將SiO2、SiNx以及SiOxNy薄膜的沉積速率可以控制在10nm/min~50nm/min范圍內;
⑶當薄膜材料沉積速率在20nm/min~40nm/min之間時,沉積薄膜的厚度可以達到精確控制的目的,其控制誤差小于7%;
⑷采用SiO2、SiNx以及SiOxNy作為薄膜材料在K9玻璃基底上單面
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