GaAs HBT-MMIC功率放大器的設(shè)計(jì).pdf

1、本文基于國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目《新一代寬帶無(wú)線(xiàn)移動(dòng)通信網(wǎng)》中子課題《面向IMT-Advanced等寬帶無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的射頻芯片、器件與模塊研發(fā)》，針對(duì)4G通信標(biāo)準(zhǔn)IMT-Advanced的應(yīng)用設(shè)計(jì)了一款工作頻率在2.3GHz的MNnc功率放大器。
　　放大器采用GaAs HBT工藝，用兩級(jí)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高增益、高輸出功率、高效率的目標(biāo)。本文對(duì)功率放大器設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵性問(wèn)題分別進(jìn)行了分析，并提出有效的解決措施。設(shè)計(jì)的自適應(yīng)線(xiàn)性偏置電路為晶體管提供偏

2、置電壓的同時(shí)，還在高功率輸入情況下補(bǔ)償由此降低的功率管基極與發(fā)射極之間的電壓，保持了放大器的偏置點(diǎn)不變并且抑制了增益壓縮現(xiàn)象。偏置網(wǎng)絡(luò)中的溫度補(bǔ)償電路利用HBT功率器件的熱電負(fù)反饋特性，有效抑制了自熱效應(yīng)導(dǎo)致的直流偏置點(diǎn)的溫漂現(xiàn)象和電流增益坍塌現(xiàn)象。通過(guò)在每個(gè)功率管的基極加上一個(gè)電阻電容并聯(lián)穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)，消除了晶體管潛在不穩(wěn)定因素，改善了電路的電學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。為了更精確的仿真設(shè)計(jì)，對(duì)測(cè)試芯片的鍵合線(xiàn)建立了仿真模型。第一級(jí)功率放大器采用