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文檔簡介
1、本文基于國家重大專項項目《新一代寬帶無線移動通信網(wǎng)》中子課題《面向IMT-Advanced等寬帶無線通信系統(tǒng)的射頻芯片、器件與模塊研發(fā)》，針對4G通信標(biāo)準(zhǔn)IMT-Advanced的應(yīng)用設(shè)計了一款工作頻率在2.3GHz的MNnc功率放大器。
放大器采用GaAs HBT工藝，用兩級結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高增益、高輸出功率、高效率的目標(biāo)。本文對功率放大器設(shè)計中的關(guān)鍵性問題分別進(jìn)行了分析，并提出有效的解決措施。設(shè)計的自適應(yīng)線性偏置電路為晶體管提供偏
2、置電壓的同時，還在高功率輸入情況下補(bǔ)償由此降低的功率管基極與發(fā)射極之間的電壓，保持了放大器的偏置點不變并且抑制了增益壓縮現(xiàn)象。偏置網(wǎng)絡(luò)中的溫度補(bǔ)償電路利用HBT功率器件的熱電負(fù)反饋特性，有效抑制了自熱效應(yīng)導(dǎo)致的直流偏置點的溫漂現(xiàn)象和電流增益坍塌現(xiàn)象。通過在每個功率管的基極加上一個電阻電容并聯(lián)穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)，消除了晶體管潛在不穩(wěn)定因素，改善了電路的電學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。為了更精確的仿真設(shè)計，對測試芯片的鍵合線建立了仿真模型。第一級功率放大器采用
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